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J-GLOBAL ID：201602274362209264   整理番号：16A1098499

UTBB FDSOI,バルクFinFETとSOI FinFETの逆バイアス変調【Powered by NICT】

Back bias modulation of UTBB FDSOI, bulk FinFET, and SOI FinFET

著者 (4件)： Chang Wen-Teng (Department of Electrical Engineering. National University of Kaohsiung, Kaohsiung, Taiwan) ,  Lin Shih-Wei (Department of Electrical Engineering. National University of Kaohsiung, Kaohsiung, Taiwan) ,  Shih Cheng-Ting (Department of Electrical Engineering. National University of Kaohsiung, Kaohsiung, Taiwan) ,  Yeh Wen-Kuan (Department of Electrical Engineering. National University of Kaohsiung, Kaohsiung, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： INEC  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,超薄ボディと埋め込み酸化膜のバックバイアス変調速度,絶縁体上(UTBB FDSOI)完全空乏化シリコン,バルクFinFET,およびSOI FinFET結果UTBB FDSOIはしきい値電圧に対する二次高い変調速度とバルクFinFETのそれより相互コンダクタンス変調率のかなり高いを示したを比較した。SOI FinFETは,厚い埋込み酸化物のためにわずかな変調率を生成した。これらのデバイスにおける逆バイアスを説明するために提案した簡単なDCモデル。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *相互コンダクタンス ,  酸化物 ,  絶縁材料 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  埋込み酸化膜 ,  *逆バイアス ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： パターン認識  (JE07000S) ,  信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (6件)： FDSOI ,  バルク ,  FinFET ,  SOI ,  バイアス ,  変調