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J-GLOBAL ID:201602275538226367   整理番号:16A0876536

応答曲面法に基づくGaN HEMTの大信号統計モデルと収量推定【Powered by NICT】

A Large-Signal Statistical Model and Yield Estimation of GaN HEMTs Based on Response Surface Methodology
著者 (6件):
資料名:
巻: 26  号:ページ: 690-692  発行年: 2016年 
JST資料番号: W0099A  ISSN: 1531-1309  CODEN: IMWCBJ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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応答曲面法(RSM)に基づいたGaN HEMTの新しい非線形大信号等価回路統計モデルを本論文で提案した。10バッチから三十四GaN HEMTを測定し,大信号等価回路モデルにおけるすべてのパラメータは,社内パラメータ抽出プログラムによって抽出した。ドレイン-ソース電流モデルとゲート電荷モデルの四つの最も敏感なパラメータを選択した。統計的方法は四パラメータの範囲を変化させるために応答曲面法を用いてモデル化した。統計モデルをアジレント社ADSで実現され,三SバンドGaN HEMT電力増幅器を検証のために確立された統計的モデルを用いて設計した。結果を測定し,シミュレートした出力電力(Pout),電力付加効率(PAE)を比較することによって達成された良好な精度を示した。この方法はGaN HEMT電力増幅器設計と収量推定のための単純で正確であった。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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トランジスタ  ,  増幅回路 

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