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J-GLOBAL ID:201602275604852742   整理番号:16A1316386

テラヘルツ波無線通信のためのInP,GaN及びInSbベースH EMTとMMICの研究開発【Powered by NICT】

Research and Development of InP, GaN and InSb-Based HEMTs and MMICs for Terahertz-Wave Wireless Communications
著者 (20件):
資料名:
巻: 2016  号: CSICS  ページ: 1-4  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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総務省,日本(MIC)によって発射された研究開発計画における300GHz付近の高周波数キャリア波を用いたテラヘルツ波無線通信のためのInPベースH EMTとMMICの性能を改善した。更に,著者らは他の研究におけるGaNとInSbベースH EMTを開発した。本論文では,300GHz近傍動作電力増幅器と低雑音増幅器のためのInP,GaNとInSb EMT,InP MMICの性能を実証した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (3件):
分類
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無線通信一般  ,  信号理論  ,  アンテナ 

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