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J-GLOBAL ID：201602276797617472   整理番号：16A0615409

超微細化したナノワイヤ電界効果トランジスタのための材料としてのSiの可能性に関するシミュレーション研究【Powered by NICT】

Simulation study on the feasibility of Si as material for ultra-scaled nanowire field-effect transistors

著者 (6件)： Stanojevic Z. (Global TCAD Solutions GmbH, Vienna, Austria) ,  Baumgartner O. (Global TCAD Solutions GmbH, Vienna, Austria) ,  Karner M. (Global TCAD Solutions GmbH, Vienna, Austria) ,  Mitterbauer F. (Global TCAD Solutions GmbH, Vienna, Austria) ,  Demel H. (Global TCAD Solutions GmbH, Vienna, Austria) ,  Kernstock C. (Global TCAD Solutions GmbH, Vienna, Austria)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EUROSOI-ULIS  ページ： 147-150  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超スケーリングデバイスの完全な性能評価を可能にするシミュレーションフレームワークを提示した。シミュレーションアプローチはp-Hamiltonianから計算し,室温で半導体に発生するすべての関連する散乱機構を含むサブバンドBoltzmann輸送方程式(BTE)の完全解に基づいている。シミュレーション枠組みは論理応用における超スケール電界効果トランジスタのためのシリコンベース技術の性能限界を研究した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  半導体 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *シミュレーション ,  *精密化 ,  性能評価
準シソーラス用語： 輸送方程式 ,  サブバンド ,  シミュレーションフレームワーク ,  *ナノワイヤトランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 信号理論  (ND02020G) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 微細化 ,  ナノワイヤ電界効果トランジスタ ,  Si ,  可能性 ,  シミュレーション ,  研究