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J-GLOBAL ID：201602276839969860   整理番号：16A1316394

GaN-HEMTの電流コラプスの原因を調べるための時間分解マイクロビームX線吸収微細構造(XAFS)測定【Powered by NICT】

Time-Resolved Micro-Beam X-Ray Absorption Fine Structure (XAFS) Measurement to Investigate the Cause of a Current Collapse of GaN-HEMTs

著者 (8件)： Tateno Yasunori ,  Kouchi Tsuyoshi ,  Komatani Tsutomu ,  Yamamoto Hiroshi ,  Yonemura Takumi ,  Iihara Junji ,  Saito Yoshihiro ,  Nakabayashi Takashi
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： CSICS  ページ： 1-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らの研究の目的は,電圧ストレス下のGaNの表面状態の直接測定を行い,電流崩壊の原因を同定することであった。電圧ストレスはGaNH EMTに適用した直後のパルスSパラメータ測定を用いて,等価回路パラメータを抽出し,電流崩壊を誘導する仮想ゲート長を推定した。また電圧ストレスを適用した後,時間分解マイクロビームX線吸収微細構造(XAFS)測定を行った。その結果,印加電圧ストレスによる,Ga,ガリウムのX線近吸収端構造(XANES)スペクトルは,変化することが分かった。これはGaNの表面状態は電圧ストレスによる仮想ゲート領域で変化した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： パルス ,  *窒化ガリウム ,  *XAFS ,  *ガリウム ,  等価回路 ,  XANES ,  *電流
準シソーラス用語： 印加電圧 ,  ゲート長 ,  Sパラメータ ,  直接測定 ,  電圧ストレス ,  *マイクロビーム ,  *電流コラプス ,  *GaN HEMT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 音響信号処理  (BB03050C) ,  音響測定  (BB03040R) ,  音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaN ,  HEMT ,  電流コラプス ,  原因 ,  分解 ,  マイクロビーム ,  X線吸収微細構造 ,  XAFS