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J-GLOBAL ID：201602277107775757   整理番号：16A0977071

DC加速寿命試験下でのAlGaN/GaN HEMTの捕獲効果の研究【Powered by NICT】

Investigation of trapping effects on AlGaN/GaN HEMT under DC accelerated life testing

著者 (5件)： Sun W. (Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, OH 43210, USA) ,  Lee C. (Qorvo Inc., Richardson, TX 75080, USA) ,  Saunier P. (Qorvo Inc., Richardson, TX 75080, USA) ,  Ringel S.A. (Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, OH 43210, USA) ,  Arehart A. R. (Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, OH 43210, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IRPS  ページ： CD-3-1-CD-3-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNベース高電子移動度トランジスタ(HEMT)は,DC加速寿命試験を受ける欠陥準位は形成が活性化され,静的および動的HEMT性能にどのように影響するか決定することであった。一次静的変化は,しきい値電圧の負のシフトと膝walkout/on抵抗の増加であった。ストレスの一次動的効果はオン抵抗の時間依存的な増加の形で出現し,これは動的変化に寄与していることをEc-0.57とEc-0.72eVトラップでのトラップの形成および/または活性化一次に相関することが分かった,Ec~0.5eVトラップしたオン抵抗の静的変化の原因と考えられる。トラッピング動力学分析は,EC-0.57とEC-1.72eV状態の物理的源は簡単で,理想的な非相互作用点欠陥がないことを明らかにしたが,代わりに物理的拡張欠陥,転位,および/または欠陥複合体などと関連している。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 点欠陥 ,  欠陥準位 ,  *捕獲 ,  複合欠陥 ,  オン抵抗 ,  相互作用 ,  *窒化ガリウム ,  時間依存性 ,  *HEMT
準シソーラス用語： 拡張欠陥 ,  トラッピング ,  閾値電圧 ,  *AlGaN/GaN ,  *加速劣化試験 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： パターン認識  (JE07000S) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： DC ,  加速寿命試験 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  捕獲 ,  研究