Cd<sub>1-x</sub>Mn<sub>x</sub>Te膜の構造,形態及び電気特性に及ぼすポストアニールの影響

Ji Huanhuan; Huang Jian; Wang Lin; Wang Junnan; Lai Jianming; Xu Run; Zhang Jijun; Shen Yue; Min Jiahua; Wang Linjun; Lu Yicheng

文献

J-GLOBAL ID：201602277261690726 整理番号：16A1042604

Cd_1-xMn_xTe膜の構造,形態及び電気特性に及ぼすポストアニールの影響

Influences of post-annealing on structural, morphological and electrical properties of Cd_1-MnTe films

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Applied Surface Science (Applied Surface Science)

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巻： 388 号： PA ページ： 444-447 発行年： 2016年12月01日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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Cd_1-xMn_xTe膜をSnO₂:F(FTO)被覆ガラス基板上に閉空間昇華法により成長させた。蒸着後,膜をBr-MeOH(BM)溶液中でエッチして,その後2つに分岐したアニーリングプロセスを施した。1つはN₂中で直接行うもので,他の1つはさらにMnCl₂中でアニールするものである。XRD,SEM,EDS及びI-V測定を使って,Cd_1-xMn_xTe膜の構造と特性に及ぼすポストアニールの影響を調べた。高品質で高抵抗率の均一Cd_1-xMn_xTe膜がBM/N₂後処理によって得られた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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