Lin Zizeng について
Guangxi Experiment Center of Information Science, Guilin University of Electronic Technology について
Cao Mingmin について
Guangxi Experiment Center of Information Science, Guilin University of Electronic Technology について
Wang Shengkai について
Microwave Device and IC Department, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences について
Guangxi Experiment Center of Information Science, Guilin University of Electronic Technology について
Xiao Gongli について
Guangxi Experiment Center of Information Science, Guilin University of Electronic Technology について
Guangxi Experiment Center of Information Science, Guilin University of Electronic Technology について
Liu Honggang について
Microwave Device and IC Department, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences について
Li Haiou について
Guangxi Experiment Center of Information Science, Guilin University of Electronic Technology について
Journal of Semiconductors について
ヒ化ガリウムインジウム について
窒化 について
ヒステリシス について
プラズマ について
硫黄 について
不動態化 について
漏れ電流 について
コンデンサ について
電流電圧特性 について
MOSコンデンサ について
フラットバンド について
界面特性 について
界面トラップ について
周波数分散 について
N_2プラズマ について
(NH_4)_2S_x治療 について
界面特性 について
MOSキャパシタ について
誘電体一般 について
LCR部品 について
金属-絶縁体-半導体構造 について
Al について
InGaAs について
MOSキャパシタ について
Ga について
窒化 について
硫黄 について
不動態化 について