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J-GLOBAL ID：201602277290849046   整理番号：16A0977069

固有信頼性のSiN/AlGaNベースゲート誘電体と評価による伝導機構について【Powered by NICT】

On conduction mechanisms through SiN/AlGaN based gate dielectric and assessment of intrinsic reliability

著者 (6件)： Banerjee Abhishek (ON Semiconductor, Westerring 15, 9700 Oudenaarde, Belgium) ,  Vanmeerbeek Piet (ON Semiconductor, Westerring 15, 9700 Oudenaarde, Belgium) ,  De Schepper Luc (ON Semiconductor, Westerring 15, 9700 Oudenaarde, Belgium) ,  Vandeweghe Steven (ON Semiconductor, Westerring 15, 9700 Oudenaarde, Belgium) ,  Coppens Peter (ON Semiconductor, Westerring 15, 9700 Oudenaarde, Belgium) ,  Moens Peter (ON Semiconductor, Westerring 15, 9700 Oudenaarde, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IRPS  ページ： CD-1-1-CD-1-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文の第一部では,窒化ケイ素(SiN)/AlGaNベース金属-絶縁体-半導体(MIS)構造に及ぼす温度依存Jg Eg特性を利用した順方向および逆方向バイアス条件下でゲート漏れ伝導機構の研究に焦点を当てた。順方向バイアス伝導下でTCAD研究はSiN層のみに電圧降下の大部分を示した。電気特性をフィッティングすることがモデルはPoole-Frenkel(PF)放出であることが観察された。逆バイアス条件下で,全電圧降下は全SiN/AlGaN/GaN上に生じた。漏れの原因となる伝導機構は熱イオン放出成分と共にFowler-Nordheim(FN)トンネリングであることが分かった。本論文の第二の部分は時間依存絶縁破壊(TDDB)測定とSiN/AlGaNベース誘電スタックの寿命外挿に焦点を当てた。TDDB測定を異なる温度で定電圧ストレス下で行った。データの正規化は,磁場が温度の影響による分解を促進しなかったのみ示した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： トンネル効果 ,  *バイアス ,  絶縁材料 ,  時間依存性 ,  絶縁破壊 ,  電圧降下 ,  窒化ケイ素 ,  温度依存性 ,  *ゲート絶縁膜 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 電圧ストレス ,  TDDB ,  AlGaN/GaN ,  TCAD ,  *伝導機構 ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 固有 ,  SiN ,  AlGaN ,  ゲート誘電体 ,  評価 ,  伝導機構