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J-GLOBAL ID：201602277317661384   整理番号：16A0697668

炭化ケイ素MOSFETボディダイオードにおける双極,単極と中間伝導モードの物理【Powered by NICT】

Physics of bipolar, unipolar and intermediate conduction modes in Silicon Carbide MOSFET body diodes

著者 (7件)： Pala V. (Wolfspeed, A Cree Company, Research Triangle Park, NC - USA) ,  Van Brunt E. (Wolfspeed, A Cree Company, Research Triangle Park, NC - USA) ,  Ryu S.H. (Wolfspeed, A Cree Company, Research Triangle Park, NC - USA) ,  Hull B. (Wolfspeed, A Cree Company, Research Triangle Park, NC - USA) ,  Allen S. (Wolfspeed, A Cree Company, Research Triangle Park, NC - USA) ,  Palmour J. (Wolfspeed, A Cree Company, Research Triangle Park, NC - USA) ,  Hefner A. (National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, MD - USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ISPSD  ページ： 227-230  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,第三象限運転における炭化けい素MOSFETのデバイス物理を詳述した。ゲートバイアスがボディダイオードのアノードでの注入効率の制御に大きな影響を及ぼすことが観察された。ボディ効果と陽極接合を横切る電圧降下によるしきい値電圧の変化はアノード端,電流密度および操作温度に依存して単極,双極性または中間伝導モードで動作する能力をデバイスを与えるで電子と正孔電流の間のバランスを制御することに重要な役割を果たす。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電圧降下 ,  電流 ,  *MOSFET ,  電流密度 ,  正孔 ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  陽極接合 ,  ゲートバイアス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： パターン認識  (JE07000S) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 炭化ケイ素MOSFET ,  ボディダイオード ,  極 ,  伝導 ,  物理