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J-GLOBAL ID:201602277360069336   整理番号:16A0438195

HIP法によるW/V/Au/ODS-Cu接合の開発研究

著者 (4件):
資料名:
巻: 2016  ページ: ROMBUNNO.1J01  発行年: 2016年03月16日 
JST資料番号: G0939B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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本研究では,WとCu合金の接合法として,バナジウムと(V)と金(Au)の二層中間材を用いた二段階拡散接合法を提案した。このAu中間層の厚さを制御することにより,接合後V/Cu界面におけるAuの残留を抑制した。また界面形状を観察した結果,液相-固相反応と考えられる凹凸のある界面を得た。(著者抄録)
シソーラス用語:
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準シソーラス用語:
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分類 (1件):
分類
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核融合装置 
タイトルに関連する用語 (6件):
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