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J-GLOBAL ID：201602277445908689   整理番号：16A1355216

大面積グラフェンFETに基づく広帯域テラヘルツ変調器【Powered by NICT】

Large-area graphene FET based broadband terahertz modulator
著者 (8件)：
Wen Qi-Ye

Wen Qi-Ye について

(State Key Laboratory of Electronic Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China)

State Key Laboratory of Electronic Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China について

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Liu Yang

Liu Yang について

(State Key Laboratory of Electronic Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China)

State Key Laboratory of Electronic Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China について

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Liu Jing-Bo

Liu Jing-Bo について

(State Key Laboratory of Electronic Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China)

State Key Laboratory of Electronic Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China について

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Wen Tian-Long

Wen Tian-Long について

(State Key Laboratory of Electronic Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China)

State Key Laboratory of Electronic Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China について

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Yang Qing-Hui

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(State Key Laboratory of Electronic Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China)

State Key Laboratory of Electronic Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China について

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Chen Zhi

Chen Zhi について

(National Key Laboratory of Science and Technology of Communication. University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China)

National Key Laboratory of Science and Technology of Communication. University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China について

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Jing Yu-Lan

Jing Yu-Lan について

(State Key Laboratory of Electronic Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China)

State Key Laboratory of Electronic Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China について

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Zhang Huai-Wu

Zhang Huai-Wu について

(State Key Laboratory of Electronic Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China)

State Key Laboratory of Electronic Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China について


資料名：
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

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巻： 2016  号： IRMMW-THz  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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二種類の大面積グラフェン電界効果トランジスタ(GFET)を用いて作製した広帯域テラヘルツ波変調器を示した。一つはゲート誘電体材料,Coulomb不純物散乱と共振器効果を減少させるとしての超薄AbO3膜(60 nm)を選択する注意により改良された変調深さとスイッチ速度であり,変調性能を大幅に改善した。もう一つはイオン-gel/graphene/ポリエチレンテレフタレートの共平面ゲートGFET構造に基づく柔軟なTHz変調器である。提案したTHz変調器は優れた柔軟な性能と38%の大きな変調深さを示し,変調特性を1000倍を曲げる前と後もほとんど変化せず維持することができる。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語：
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ゲート絶縁膜

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