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J-GLOBAL ID：201602277576689937   整理番号：16A1098465

データを保持したRRAMベースフリップフロップのシミュレーション【Powered by NICT】

Simulation of the RRAM-based flip-flops with data retention

著者 (6件)： Li Mu (Shenzhen Graduate School Peking University Shenzhen, China) ,  Huang Peng (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Shen Lei (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Zhou Zheng (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Kang Jin-Feng (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Liu Xiao-Yan (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： INEC  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RRAMベース不揮発性フリップフロップ(NYFF)はIoT(モノのインターネット)の展開溶液における待機電力重要なアプリケーションのためのエネルギー効率要件を満たすように設計されている。従来FFのスレーブラッチに1T1R細胞だけで対を添加すると4PJ書込みエネルギーのコストで待機漏れ電流,理想的なパワーオンに20psデータ保持時間を切断することができる。NVFF回路は,導電性フィラメント進化モデルに酸化物ベースRRAMのSPICEコンパクトモデルを用いたHSPICEでシミュレートし,解析した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 応用プログラム ,  *双安定回路 ,  エネルギー効率 ,  漏れ電流 ,  酸化物 ,  保持時間 ,  非揮発性 ,  導電性フィラメント ,  モノのインターネット ,  *抵抗変化メモリ
準シソーラス用語： HSPICE ,  コンパクトモデル ,  待機電力 ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： パターン認識  (JE07000S) ,  信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (3件)： RRAM ,  フリップフロップ ,  シミュレーション