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J-GLOBAL ID：201602277597132266   整理番号：16A0679398

Cu/低K配線のための低による抵抗性と低コストPVD TiZrN障壁【Powered by NICT】

Low-via-resistance and low-cost PVD-TiZrN barrier for Cu/low-K interconnects

著者 (6件)： Yu-Chen Chan (Advanced Interconnect Development Program, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co, Ltd., Hsinchu, Taiwan) ,  Chao-Hsien Peng (Advanced Interconnect Development Program, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co, Ltd., Hsinchu, Taiwan) ,  Ming-Han Lee (Advanced Interconnect Development Program, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co, Ltd., Hsinchu, Taiwan) ,  Shin-Yi Yang (Advanced Interconnect Development Program, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co, Ltd., Hsinchu, Taiwan) ,  Ching-Fu Yeh (Advanced Interconnect Development Program, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co, Ltd., Hsinchu, Taiwan) ,  Shau-Lin Shue (Advanced Interconnect Development Program, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co, Ltd., Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IITC/AMC  ページ： 174-176  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,BEOL相互接続のための評価した低抵抗で低コストPVD TiZrN障壁。従来のPVD障壁と比較して,匹敵するCu障壁とCu濡れ特性が得られた。による抵抗低減の55%までが達成され,従来のものと比較して同等の電圧破壊性能であった。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 濡れ ,  相互接続 ,  電圧 ,  *配線 ,  *銅 ,  抵抗低減
準シソーラス用語： BEOL , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： パターン認識  (JE07000S) ,  信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (4件)： Cu ,  抵抗性 ,  PVD ,  障壁