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J-GLOBAL ID：201602277616497148   整理番号：16A1050069

(111)面のホモエピタキシャル単結晶ダイヤモンド成長を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Homoepitaxial Growth of Single Crystalline Diamond on (111)Facet of Natural Diamond

著者 (7件)： Wu Chao (School of Material Science and Engineering,Hubei Key Laboratory of Plasma Chemical and Advanced Materials,Wuhan Institute of Technology) ,  Ma Zhibin (School of Material Science and Engineering,Hubei Key Laboratory of Plasma Chemical and Advanced Materials,Wuhan Institute of Technology) ,  Gao Pan (School of Material Science and Engineering,Hubei Key Laboratory of Plasma Chemical and Advanced Materials,Wuhan Institute of Technology) ,  Huang Hongwei (School of Material Science and Engineering,Hubei Key Laboratory of Plasma Chemical and Advanced Materials,Wuhan Institute of Technology) ,  Song Xiuxi (School of Material Science and Engineering,Hubei Key Laboratory of Plasma Chemical and Advanced Materials,Wuhan Institute of Technology) ,  Fu Qiuming (School of Material Science and Engineering,Hubei Key Laboratory of Plasma Chemical and Advanced Materials,Wuhan Institute of Technology) ,  Wang Chuanxin (School of Material Science and Engineering,Hubei Key Laboratory of Plasma Chemical and Advanced Materials,Wuhan Institute of Technology)
資料名： Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao  (Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao)
巻： 36  号： 5  ページ： 524-528  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2159A  ISSN： 1672-7126  CODEN： CKKSDV  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： マイクロ波プラズマ化学蒸着(MPCVD)法による,天然ダイヤモンド基板の(111)面上ではホモエピタキシャル単結晶ダイヤモンド成長では,堆積温度、CH_4濃度および小さな角度ずれ(111)結晶面の基板がダイヤモンドの成長に及ぼす影響を研究した。SEMおよびRAMANを用いてエピタキシャルに成長したダイヤモンドに対してキャラクタリゼーションを行った,結果:ダイヤモンドは,高堆積温度、高CH_4濃度の条件下で,ダイヤモンドの無秩序多結晶成長現象を呈した一致の単結晶を,蒸着温度の低下は,形態と品質が有意に向上したとともに,低堆積温度条件下で成長を示した,しかし表面トポグラフィーが比較的粗い。さらに低下したCH_4濃度はエピタキシャルに成長することを高品質で平滑な表面の単結晶ダイヤモンド,速度は4.7ΜM/H。傾斜研磨方法部分Chenの底面は(111)結晶面がずれてを約6°を用いて,比較実験は微小が(111)結晶面の斜面を高堆積温度、高CH_4濃度の条件下で基板からずれるエネルギーが成長しても比較的良い品質の単結晶ダイヤモンドが認められた,,成長速度が著しく向上し,9ΜM/Hを達成した。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  品質 ,  結晶面 ,  比較試験 ,  結晶成長 ,  *ダイヤモンド ,  成長速度 ,  *単結晶 ,  *エピタクシー
準シソーラス用語： 高品質 ,  表面トポグラフィー ,  蒸着温度 ,  天然ダイヤモンド ,  マイクロ波プラズマCVD ,  *単結晶ダイアモンド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Single crystal diamond ,  CVD ,  Homoepitaxial ,  (111) facets ,  Off-angle

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  結晶成長技術・装置  (BK13020B)

タイトルに関連する用語 (5件)： ホモ ,  エピタキシャル ,  単結晶ダイヤモンド ,  成長 ,  研究