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J-GLOBAL ID：201602277735722428   整理番号：16A0602614

GaNH EMT非線形大信号統計モデルとその応用Sバンド電力増幅器の設計【Powered by NICT】

A GaN HEMTs Nonlinear Large-Signal Statistical Model and Its Application in S-Band Power Amplifier Design

著者 (6件)： Zhikai Chen (EHF Key Lab. of Fundamental Sci., Univ. of Electron. Sci. & Technol. of China, Chengdu, China) ,  Yuehang Xu (EHF Key Lab. of Fundamental Sci., Univ. of Electron. Sci. & Technol. of China, Chengdu, China) ,  Bin Zhang (Nanjing Electron. Devices Inst., Nanjing, China) ,  Tangsheng Chen (Nanjing Electron. Devices Inst., Nanjing, China) ,  Tao Gao (Nanjing Electron. Devices Inst., Nanjing, China) ,  Ruimin Xu (EHF Key Lab. of Fundamental Sci., Univ. of Electron. Sci. & Technol. of China, Chengdu, China)
資料名： IEEE Microwave and Wireless Components Letters  (IEEE Microwave and Wireless Components Letters)
巻： 26  号： 2  ページ： 128-130  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0099A  ISSN： 1531-1309  CODEN： IMWCBJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非線形電熱効果および捕獲効果を含む経験的等価回路に基づくGaNH EMT非線形大信号統計モデルを本論文で提案した。電熱モデルは,一段階非線形R-C電熱ネットワークによって構築し,トラッピング効果はAngeloveモデルに基づく効果的なゲート(V_gseff)バイアスによってモデル化した。10バッチから三十四GaNH EMTを測定し,大信号モデルの全パラメータは,社内パラメータ抽出プログラムによって抽出した。統計的方法は主成分分析,因子分析および多重回帰モデリング技法を組み合わせることによりモデル化した。統計モデルをアジレント社ADSにおいて実施し,Monte Carloシミュレーションを検証のために満たされている。二SバンドGaNH EMT電力増幅器は実証目的のために確立された統計的モデルを用いて設計した。結果を測定し,モンテカルロシミュレーション出力電力(Pout),電力付加効率(PAE)を比較することによって達成された良好な精度を示した。この方法はGaNH EMT電力増幅器の設計と収量推定に適していることを証明した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： バイアス ,  電気加熱 ,  *統計模型 ,  多重回帰分析 ,  モデリング ,  主成分分析 ,  *電力増幅器 ,  等価回路 ,  因子分析
準シソーラス用語： モンテカルロシミュレーション ,  パラメータ抽出 ,  大信号モデル ,  電熱効果 ,  *Sバンド ,  *大信号 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 統計モデル ,  GaNH EMT ,  大信号 ,  モンテカルロシミュレーション ,  電力増幅器(PA)

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (8件)： EMT ,  非線形 ,  大信号 ,  統計モデル ,  応用 ,  Sバンド ,  電力増幅器 ,  設計