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J-GLOBAL ID：201602277808867905   整理番号：12A1136963

Progress in Development of Single-Electron Memory Based on Nano-Crystalline Silicon

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著者 (4件)：
Ding Honglin

Ding Honglin について

(Dept.of Electromechanical Engineering, Zilang Vocational Technical Coll., Jiangsu, Nantong)

Dept.of Electromechanical Engineering, Zilang Vocational Technical Coll., Jiangsu, Nantong について

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Yue Yunfeng

Yue Yunfeng について

(Dept.of Electromechanical Engineering, Zilang Vocational Technical Coll., Jiangsu, Nantong)

Dept.of Electromechanical Engineering, Zilang Vocational Technical Coll., Jiangsu, Nantong について

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Gu Yongjun

Gu Yongjun について

(Dept.of Electromechanical Engineering, Zilang Vocational Technical Coll., Jiangsu, Nantong)

Dept.of Electromechanical Engineering, Zilang Vocational Technical Coll., Jiangsu, Nantong について

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Chen Kunji

Chen Kunji について

(Dept.of Physics, Nanjing Univ., Nanjing)

Dept.of Physics, Nanjing Univ., Nanjing について


資料名：
Weidianzixue  (Weidianzixue)

Weidianzixue について


巻： 41  号： 2  ページ： 274-278  発行年： 2011年 
JST資料番号： C2386A  ISSN： 1004-3365  CODEN： WEIDFK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)
タイトルに関連する用語 (1件)：
タイトルに関連する用語
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PROGRESS

PROGRESS について


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