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J-GLOBAL ID:201602278041229793   整理番号:16A0719627

σ電子受容性シラン,ゲルマン,スタナン配位子を有するパラジウム錯体の合成

著者 (5件):
資料名:
巻: 96th  ページ: ROMBUNNO.3PA-092  発行年: 2016年03月10日 
JST資料番号: S0493B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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高周期14属元素化合物はルイス塩基との反応で超原子価化合物を与えることから,金属中心から電子を受容する配位子として機能しうる。本研究ではSifP?型配位子を有するPd錯体1を合成した。1のX線構造解析の結果シラン部位がσ受容性配位子として機能することが示唆された。さらに1のGeおよびSn誘導体においてもゲルマンおよびスタナンが同様にσ電子受容性配位子として機能することが確認できた。(著者抄録)
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分類 (4件):
分類
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白金族元素の錯体  ,  有機けい素化合物  ,  有機ひ素・アンチモン・ビスマス・ゲルマニウム化合物  ,  有機すず・鉛・ポロニウム化合物 
物質索引 (3件):
物質索引
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