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J-GLOBAL ID：201602280663498661   整理番号：16A0993809

同時セレン化/硫化によるCu(In,Ga)Se₂薄膜のバンドギャップの調整

Tuning the band gap of Cu(In,Ga)Se₂ thin films by simultaneous selenization/sulfurization

著者 (7件)： Huang Yongliang (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 235 Chengbei Rd., Jiading, Shanghai 201800, PR China) ,  Huang Yongliang (University of Chinese Academy of Sciences, 19A Yuquanlu, Beijing 100049, PR China) ,  Han Anjun (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 235 Chengbei Rd., Jiading, Shanghai 201800, PR China) ,  Wang Xian (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 235 Chengbei Rd., Jiading, Shanghai 201800, PR China) ,  Liu Xiaohui (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 235 Chengbei Rd., Jiading, Shanghai 201800, PR China) ,  Liu Zhengxin (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 235 Chengbei Rd., Jiading, Shanghai 201800, PR China) ,  Meng Fanying (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 235 Chengbei Rd., Jiading, Shanghai 201800, PR China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 182  ページ： 114-117  発行年： 2016年11月01日 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 同時セレン化/硫化をH₂S/H₂Se/N₂ハイブリッドガス中でCu(In,Ga)(Se,S)₂薄膜を作製するために研究しており,Cu(In,Ga)(Se,S)₂薄膜の光学バンドギャップをH₂S/H₂Seの濃度比を変えることにより,1.05eV~1.22eVに調整している。H₂S濃度が上がるとき,より多くのSがCIGSeS相と一緒になり,それは,CIGSeSのバンドギャップを広くすることを見出している。さらに,異なる反応時間でCIGSeS膜の透過膜元素プロフィールは,CIGSeS膜が初期反応中,Gに乏しくかつSに乏しく,そしてGaとSがH₂SとH₂Seの組み合わせでその後の反応中に再分布することを示している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *セレン化物 ,  *銅化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *半導体薄膜 ,  化学反応 ,  硫化 ,  同時性 ,  *硫化水素 ,  *セレン化水素 ,  窒素 ,  *混合気体 ,  *光学ギャップ ,  比率 ,  濃度 ,  調整 ,  反応時間 ,  元素 ,  分布 ,  深さプロフィル ,  基板 ,  ソーダ石灰ガラス ,  スパッタリング ,  *反応性スパッタリング ,  *二次イオン質量分析
準シソーラス用語： SIMS【質量分析】 ,  セレン化 ,  共スパッタリング ,  元素分布 ,  光学バンドギャップ ,  濃度比

著者キーワード (5件)： CIGS ,  Thin film ,  Simultaneous selenization/sulfurization ,  Tunable band gap ,  S incorporation

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  質量分析  (CC03013N)

タイトルに関連する用語 (6件)： セレン化 ,  硫化 ,  Cu ,  Ga ,  薄膜 ,  バンドギャップ