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J-GLOBAL ID：201602281913829613   整理番号：16A0751992

酸素プラズマ処理による,高性能2D二硫化レニウム(ReS₂)トランジスタおよび光検出器

High-Performance 2D Rhenium Disulfide (ReS₂) Transistors and Photodetectors by Oxygen Plasma Treatment

著者 (14件)： Shim Jaewoo (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 440-746, South Korea) ,  Oh Aely (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 440-746, South Korea) ,  Kang Dong-Ho (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 440-746, South Korea) ,  Oh Seyong (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 440-746, South Korea) ,  Jang Sung Kyu (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology, Ungkyunkwan University, Suwon, 440-746, South Korea) ,  Jeon Jaeho (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology, Ungkyunkwan University, Suwon, 440-746, South Korea) ,  Jeon Min Hwan (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology, Ungkyunkwan University, Suwon, 440-746, South Korea) ,  Kim Minwoo (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology, Ungkyunkwan University, Suwon, 440-746, South Korea) ,  Choi Changhwan (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, 133-791, South Korea) ,  Lee Jaehyeong (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 440-746, South Korea) ,  Lee Sungjoo (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology, Ungkyunkwan University, Suwon, 440-746, South Korea) ,  Yeom Geun Young (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology, Ungkyunkwan University, Suwon, 440-746, South Korea) ,  Song Young Jae (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology, Ungkyunkwan University, Suwon, 440-746, South Korea) ,  Park Jin-Hong (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 440-746, South Korea)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 28  号： 32  ページ： 6985-6992  発行年： 2016年08月24日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： O₂プラズマ処理による,高オンオフ比(10⁴),高移動度(7.6cm²V^-1s^-1),高光応答(2.5×10⁷AW^-1),および高速時間応答(立上りおよび減衰時間各々670msおよび5.6s)を示す高性能ReS₂系薄膜トランジスタおよび光検出器を報告する。Copyright 2016 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *プラズマ ,  *プラズマ処理 ,  *硫化物 ,  *レニウム化合物 ,  *トランジスタ ,  *光検出器 ,  比率 ,  キャリア移動度 ,  応答 ,  時間 ,  減衰時間 ,  *薄膜トランジスタ ,  *遷移金属化合物 ,  層間剥離 ,  顕微鏡観察 ,  X線光電子分光法 ,  Raman分光分析 ,  加工時間 ,  電流電圧特性 ,  光電流 ,  表面処理 ,  プラズマ相互作用
準シソーラス用語： *酸素プラズマ ,  オンオフ比 ,  光応答 ,  高速応答 ,  立上り時間 ,  原子間力顕微鏡観察

著者キーワード (4件)： O2 plasma ,  photodetectors ,  ReS2 ,  thin-film transistors

分類 (4件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  硫黄とその化合物  (YB02020L) ,  固体-プラズマ相互作用  (BJ02033W)

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸素プラズマ ,  高性能 ,  2D ,  二硫化レニウム ,  ReS2 ,  トランジスタ ,  光検出器