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J-GLOBAL ID：201602283236019073   整理番号：16A1257464

垂直ホットウォールCVDにおける4H-SiC膜の塩化物高速ホモエピタキシャル成長【Powered by NICT】

Chloride-based fast homoepitaxial growth of 4H-SiC films in a vertical hot-wall CVD

著者 (9件)： Yan Guoguo (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Feng (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Niu Yingxi (State Grid Smart Grid Research Institute) ,  Yang Fei (State Grid Smart Grid Research Institute) ,  Liu Xingfang (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Lei (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhao Wanshun (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Sun Guosheng (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Zeng Yiping (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 37  号： 6  ページ： 063001_01-063001_06  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiCエピ層の塩化物高速ホモエピタキシャル成長をH_2SiH_4C_2H_4HClを用いた自家製垂直ホットウォール化学蒸着(CVD)系で4°斜軸4H-SiC基板上に行った。4H-SiCエピ層の成長速度に及ぼすSiH_4/H_2比と反応器圧力の影響を連続的に研究した。成長速度はSiH_4/H_2比に比例して増加し,塩素の影響機構を検討した。反応器圧力を40から100Torrに増加に伴って,成長速度は52μm/hに増加し,その後47μm/hまで減少し,これはH_2とH Clエッチングの結合効果だけでなく,高い反応器圧力でのSiクラスタの形成に起因した。表面根平均二乗(RMS)粗さは約1nm成長速度49μmに増加を続けている。走査電子顕微鏡(SEM),Raman分光法,X線回折(XRD)は,高結晶品質の厚さとドーピングの良好な均一性の96.7μm厚い4H-SiC層を達成できることを示した。これらの結果は,塩化物ベースの高速エピタクシー4H-SiCホモエピタクシーのための高度な成長技術であることを証明した。Data from the ScienceChina, LCAS.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *HOMO ,  X線回折 ,  塩素 ,  *塩化物 ,  走査電子顕微鏡 ,  ホモエピタクシー ,  *高速度 ,  Raman分光法 ,  成長速度 ,  *炭化ケイ素 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  エピタキシャル層 ,  *4H-SiC ,  *ホットウォールCVD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 4H-SiCエピ層 ,  化学蒸着 ,  ホモエピタキシャル成長 ,  成長速度

分類 (9件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  モルタル,コンクリート  (RA06042H) ,  石油精製一般  (YF02010M) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  合成鉱物  (CD01040K) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  固体の製造・処理一般  (XD03021O) ,  電気めっき  (WC08023B)

タイトルに関連する用語 (6件)： 垂直 ,  ホットウォールCVD ,  4H-SiC ,  塩化物 ,  ホモ ,  エピタキシャル成長