文献

J-GLOBAL ID：201602283261209614   整理番号：16A1098484

非晶質酸化インジウムすず膜における表面依存性伝導率,遷移型とバンド構造【Powered by NICT】

Surface-dependent conductivity, transition type, and band structure in amorphous indium tin oxide films

著者 (2件)： Wang Yaqin (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Tang Wu (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： INEC  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリマ上の非晶質インジウムすず酸化物薄膜を伝導率,光学遷移タイプとバンド構造に及ぼす興味ある基板形態効果を示した。伝導率と表面粗さの間の関係は二乗ポテンシャルを持つ単純化された膜システムモデルによってよく説明される。光透過率スペクトルから生じた遷移タイプが異なる重合体上のITO膜における一致しないことが分かった。さらに,バンド構造は,基質に依存した伝導度と光学的性質をより視覚的に計算した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *インジウム ,  簡素化 ,  *スズ ,  基質 ,  システムモデル ,  光学的性質 ,  *非晶質 ,  *バンド構造 ,  視覚 ,  ポテンシャル ,  *酸化インジウム
準シソーラス用語： 光透過率 ,  光学遷移 ,  酸化物薄膜 ,  *伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： ディジタルフィルタ  (NC04022Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非晶質 ,  酸化インジウムすず ,  依存性 ,  伝導率 ,  遷移 ,  バンド構造