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J-GLOBAL ID:201602283280005969   整理番号:16A0990212

エピタキシャルリフトオフ技術に基づく薄膜LEDの電流広がりと熱効果の研究【JST・京大機械翻訳】

Current spreading and thermal effect in thin-film Light-Emitting Diodes for epitaxial lift-off technology
著者 (6件):
資料名:
巻: 46  号:ページ: 044614-1-044614-6  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2586A  ISSN: 1674-7275  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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エピタキシャル技術と剥離転写技術の発展に伴い,人々の広く注目を引き起こすフレキシブル無機半導体デバイスを集積した。フレキシブル無機発光2次管(LED)の開発は高精度転写技術と生物センシング応用のフレキシブル混合集積技術の差し迫った需要である。薄膜からの2次管(TF-LED)発光の電流広がりと熱管理は,TF-LED性能の鍵の開発である。この論文は,微細リソグラフィー支持構造を採用して,2つの構造のTF-LED,そしてそのChen底聚二フレキシブルメチルシロキサン(PDMS)上に転写し,TF試験-LEDSの電気的特性を調製した。シミュレーションを2次元有限要素法を用いて,複合機構、格子温度などを総合的にLEDの電気学的特性の影響を考慮して,棒電極構造TF-LEDSとリング電極構造とTF-LEDSの電流拡張の問題を分析した。TFリング電極構造を-LED電流分布の均一性が良いと説明し,自己発熱効果が小さい;フレキシブル基板上では,比較的大きなパワーで連続動作できるために,温度が高すぎるためにデバイス損傷を引き起こさない。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】
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太陽電池 

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