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J-GLOBAL ID：201602283282447587   整理番号：16A1286107

CIGSとCZTSe太陽電池における準安定欠陥個体群に及ぼす電圧バイアスアニーリングの効果【Powered by NICT】

Effects of voltage-bias annealing on metastable defect populations in CIGS and CZTSe solar cells

著者 (3件)： Harvey Steven P. (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO, 80403, United States of America) ,  Johnston Steve (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO, 80403, United States of America) ,  Teeter Glenn (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO, 80403, United States of America)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： PVSC  ページ： 2169-2173  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CIGSとCZTSe太陽電池で行った電圧バイアスアニーリング(VBA)実験について報告した。これらの実験では,中程度の温度でアニールし,その後連続的に印加電圧バイアスと急冷した完成装置。これらの処理は,素子特性の実質的な可逆的変化をもたらした。CIGSデバイスの光起電力(PV)変換効率は3%以下から15%以上に,約10~14cm~ 3から~10~17cm~ 3CIGS正孔密度の対応する変化を示した。CZTSeデバイスでは,開回路電圧は289meVから446meVに,CZTSe正孔密度の五十変化の約因子。はこれらの材料の重要な特性を制御する準安定点欠陥集団への可逆的変化の観点からこれらの知見を解釈した。PVデバイスの長期安定性にPV材料と接合部の最適化のための意味を検討した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *バイアス ,  最適化 ,  光起電力 ,  *太陽電池 ,  点欠陥 ,  *個体群 ,  *電圧 ,  可逆変化
準シソーラス用語： 長期安定性 ,  開回路電圧 ,  正孔密度 ,  変換効率 ,  デバイス特性 ,  印加電圧 ,  *セレン化ガリウムインジウム銅 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 計算機網  (JC03000K)

タイトルに関連する用語 (6件)： CIGS ,  太陽電池 ,  欠陥 ,  個体群 ,  バイアス ,  アニーリング