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J-GLOBAL ID：201602286972136845   整理番号：16A0625825

ゾル-ゲル技術を用いて合成したGdドープZnOナノ構造の構造的,磁気的及び電子的構造に関する研究

Investigations on structural, magnetic and electronic structure of Gd-doped ZnO nanostructures synthesized using sol-gel technique

著者 (10件)： Kaur Palvinder (Department of Physics, Punjabi University, Patiala, Punjab, India) ,  Kumar Sanjeev (Applied Science Department, PEC University of Technology, Chandigarh, India) ,  Chen Chi Liang (Institute of Physics, Academia Sinica, Taipei, Taiwan) ,  Hsu Ying-Ya (National Synchrotron Radiation Research Center (NSRRC), Hsinchu, Taiwan) ,  Chan Ting-Shan (National Synchrotron Radiation Research Center (NSRRC), Hsinchu, Taiwan) ,  Dong Chung-Li (National Synchrotron Radiation Research Center (NSRRC), Hsinchu, Taiwan) ,  Srivastava C. (Materials Engineering Department, Indian Institute of Science, Bangalore, India) ,  Singh Anupinder (Department of Physics, Guru Nanak Dev University, Amritsar, India) ,  Rao S. M. (Department of Physics, Punjabi University, Patiala, Punjab, India) ,  Rao S. M. (Institute of Physics, Academia Sinica, Taipei, Taiwan)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 122  号： 3  ページ： Article:161,1-8  発行年： 2016年03月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Gd_xZn_1-xO(x=0,0.02,0.04及び0.06)ナノ構造を,ゾル-ゲル技術を用いて合成し,その構造的及び磁気的特性を理解するために特性評価した。X線回折(XRD)結果は,Gd(0,2,4及び6%)ドープZnOナノ構造が,空間群C_3V(P6₃mc)をもつウルツ鉱型構造に結晶化することを示した。GdドープZnO粉末の光ルミネセンス及びRaman研究は,一価イオン酸素空格子点の形成を示した。X線吸収分光は,Gdがホスト格子のZn原子を置換し,僅かな格子歪で結晶対称性を維持することを明らかにした。GdL₃端スペクトルは,ZnとGdドーパントイオン間の電荷移動を明らかにした。OK端スペクトルも,酸素ブリッジ(Gd-O-Zn)を通しての電荷移動を描いた。弱い磁気秩序をすべてのGdドープZnO試料で観測した。Copyright 2016 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated into Japanese from English by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *ガドリニウム ,  *ドーピング ,  *ナノ構造 ,  ゾル-ゲル法 ,  キャラクタリゼーション ,  X線回折 ,  *ウルツ鉱型結晶 ,  *光ルミネセンス ,  Ramanスペクトル ,  空格子点 ,  対称性 ,  *磁気秩序 ,  X線吸収スペクトル ,  透明導電膜 ,  半導体薄膜 ,  磁性半導体 ,  電荷移動 ,  可視発光スペクトル ,  常磁性 ,  弱い強磁性
準シソーラス用語： *酸素空格子点 ,  *結晶対称性 ,  希薄磁性半導体

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (8件)： ゾル-ゲル技術 ,  Gd ,  ドープ ,  ZnO ,  ナノ構造 ,  磁気 ,  電子的構造 ,  研究