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J-GLOBAL ID：201602287006336625   整理番号：16A1029862

スピンコーティング法で作製したチタン酸バリウムストロンチウム薄膜の構造,誘電特性とエネルギー貯蔵性能【Powered by NICT】

Structure, dielectric properties and energy storage performance of barium strontium titanate thin films prepared by spin-coating technique

著者 (5件)： Chunli Diao (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, China) ,  Liu Hanxing (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, China) ,  Hao Hua (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, China) ,  Minghe Cao (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, China) ,  Zhonghua Yao (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ISAF/ECAPD/PMF  ページ： 1-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ba_0 4Sr_0 6TiO_3(BST)薄膜をスピンコーティング法で調製し,ランタンニッケル酸化物バッファ層(LNO/Si)により緩衝されたPt/TiOx_2/SiO_2/Si(Pt/Si)基板またはシリコン上に堆積した。X線回折と走査電子顕微鏡はBST膜はき裂が無く,緻密で単相のペロブスカイト構造で結晶化していることが示した。BST膜の誘電特性とエネルギー貯蔵性能に及ぼす下部電極の影響を調べた。結果は,BST/Pt膜の誘電率はBST/LNO膜のそれより少し高いことを示し,両膜の1kHzでの誘電損失は非常に低く,<5‰である。良好な誘電可同調性を有するバタフライ曲線はBST/LNO膜の容量-電圧(C-V)曲線で観察された。100kV/cmで直流漏れ電流密度は~BST/LNOとBST/Pt膜では9.3×10~-9cm~2から~1.0×10~-8cm-2であった。両膜のP-Eループとエネルギー貯蔵性能は類似していた。BST/LNO薄膜は,高出力エネルギー貯蔵のための経済的で,環境に優しいコンデンサとして適用可能であることが示唆された。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 直流 ,  *エネルギー貯蔵 ,  走査電子顕微鏡 ,  酸化ニッケル ,  誘電率 ,  バッファ層 ,  単相 ,  *誘電性 ,  コンデンサ ,  誘電損失 ,  *スピンコーティング
準シソーラス用語： 漏れ電流密度 ,  チューナビリティ ,  ペロブスカイト型構造 ,  *チタン酸バリウムストロンチウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 医用画像処理  (JE04020T)

タイトルに関連する用語 (6件)： スピンコーティング法 ,  作製 ,  チタン酸バリウムストロンチウム ,  薄膜 ,  誘電特性 ,  エネルギー貯蔵