Fujii Shosuke について
Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 800, Yamano Isshiki-cho, Yokkaichi 512-8550, Japan について
Kamimuta Yuuichi について
Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 800, Yamano Isshiki-cho, Yokkaichi 512-8550, Japan について
Ino Tsunehiro について
Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 800, Yamano Isshiki-cho, Yokkaichi 512-8550, Japan について
Nakasaki Yasushi について
Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 800, Yamano Isshiki-cho, Yokkaichi 512-8550, Japan について
Takaishi Riichiro について
Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 800, Yamano Isshiki-cho, Yokkaichi 512-8550, Japan について
Saitoh Masumi について
Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 800, Yamano Isshiki-cho, Yokkaichi 512-8550, Japan について
IEEE Conference Proceedings について
強誘電体 について
強誘電性 について
トンネル接合 について
スイッチ について
電圧 について
コンプライアンス について
電流 について
スイッチング について
非揮発性 について
記憶装置 について
CMOS について
界面層 について
材料特性 について
第一原理計算 について
ダイオード特性 について
パターン認識 について
固有 について
ダイオード特性 について
強誘電性 について
実証 について
性能向上 について