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J-GLOBAL ID：201602288235580776   整理番号：16A0977905

低動作電流と固有ダイオード特性を持つ強誘電性HfO_2ベース抵抗スイッチの初めての実証と性能向上【Powered by NICT】

First demonstration and performance improvement of ferroelectric HfO₂-based resistive switch with low operation current and intrinsic diode property

著者 (6件)： Fujii Shosuke (Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 800, Yamano Isshiki-cho, Yokkaichi 512-8550, Japan) ,  Kamimuta Yuuichi (Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 800, Yamano Isshiki-cho, Yokkaichi 512-8550, Japan) ,  Ino Tsunehiro (Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 800, Yamano Isshiki-cho, Yokkaichi 512-8550, Japan) ,  Nakasaki Yasushi (Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 800, Yamano Isshiki-cho, Yokkaichi 512-8550, Japan) ,  Takaishi Riichiro (Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 800, Yamano Isshiki-cho, Yokkaichi 512-8550, Japan) ,  Saitoh Masumi (Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 800, Yamano Isshiki-cho, Yokkaichi 512-8550, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： VLSI Technology  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは初めて,CMOS互換強誘電HfO_2ベース二端子不揮発性抵抗スイッチを示した;HfO_2強誘電トンネル接合(FTJ)。デバイスはnA範囲の動作電流,自己コンプライアンス,固有ダイオード特性の特性だけでなく,装置の均一性に良好な素子を有していた。他の二端子新興メモリにおける報告されていなかったが,これらの特性の同時達成は,将来の不揮発性応用のための重要な利点である。第一原理計算と材料特性に基づくスイッチング機構の正確な理解は,性能改善のための固体指針を確立することを可能にした:強誘電体層と界面層の厚さのスケーリング。結果として,十分なオン/オフ比を維持しながら動作電圧の減少を実証することに成功した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 強誘電体 ,  *強誘電性 ,  トンネル接合 ,  *スイッチ ,  電圧 ,  コンプライアンス ,  *電流 ,  スイッチング ,  非揮発性 ,  記憶装置 ,  CMOS
準シソーラス用語： 界面層 ,  材料特性 ,  第一原理計算 ,  *ダイオード特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 固有 ,  ダイオード特性 ,  強誘電性 ,  実証 ,  性能向上