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J-GLOBAL ID：201602289277856256   整理番号：16A1364679

原子層堆積によって堆積したAl₂O₃\La₂O₃\Si及びLa₂O₃\Al₂O₃\Si膜の特性に及ぼす急速熱アニーリングの影響

Influences of rapid thermal annealing on the characteristics of Al2O3¥La2O3¥Si and La2O3¥Al2O3¥Si films deposited by atomic layer deposition

著者 (5件)： Fei Chenxi (Key Laboratory for Wide-Band Gap Semiconductor Materials and Devices of Education, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Liu Hongxia (Key Laboratory for Wide-Band Gap Semiconductor Materials and Devices of Education, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Wang Xing (Key Laboratory for Wide-Band Gap Semiconductor Materials and Devices of Education, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Zhao Dongdong (Key Laboratory for Wide-Band Gap Semiconductor Materials and Devices of Education, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Wang Shulong (Key Laboratory for Wide-Band Gap Semiconductor Materials and Devices of Education, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 27  号： 8  ページ： 8550-8558  発行年： 2016年08月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積(ALD)ランタンアルミニウム酸化物(La₂O₃/Al₂O₃/Si)膜のための2つの金属前駆体[トリメチルアルミニウム(TMA)及びトリス(イソプロピルシクロペンタジエニル)ランタン(La(ⁱPrCp)₃)]の異なる順序を比較研究する。La₂O₃/Al₂O₃/Si及びAl₂O₃/La₂O₃/Si膜のC及びN不純物の組成比をその場X線光電子分光法(XPS)を用いて調査した。予備試験の結果から,アニーリング前後で,異なる順序で成長させた膜の不純物レベルを良好に制御できることが示唆される。アニーリング前後のLa₂O₃/Al₂O₃/Si及びAl₂O₃/La₂O₃/Si膜の電気特性及び物理特性に及ぼす異なる堆積順序の影響を原子間力顕微鏡(AFM)及びC-V曲線によって研究する。分析から,急速熱アニーリング(RTA)が,異なる順序の膜の表面粗さ,等価酸化物厚さ(EOT),誘電率,電気特性及び安定性に重要な影響を及ぼすことが示唆される。La₂O₃/Al₂O₃/Si及びAl₂O₃/La₂O₃/Si膜の特性に及ぼすRTAによる化学結合タイプ変化の影響も,XPSによって研究する。Copyright 2016 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *多層構造 ,  *薄膜 ,  *RTA【熱処理】 ,  単原子層 ,  化学蒸着 ,  酸化アルミニウム ,  酸化ランタン ,  ケイ素 ,  原子間力顕微鏡 ,  容量電圧特性 ,  X線光電子分光法 ,  透過型電子顕微鏡 ,  前駆体 ,  アニーリング【現象】 ,  表面粗さ ,  誘電率 ,  電気特性 ,  安定性 ,  化学結合
準シソーラス用語： 急速熱アニーリング ,  原子層堆積

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 原子層堆積 ,  堆積 ,  Al2O3 ,  La2O3 ,  Si ,  Si膜 ,  急速熱アニーリング