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J-GLOBAL ID：201602289547863941   整理番号：16A0635985

MEMS/NEMSセンサのための移動自由ウエハスケールCVDグラフェン製造プロセス【Powered by NICT】

A transfer-free wafer-scale CVD graphene fabrication process for MEMS/NEMS sensors

著者 (8件)： Vollebregt S. (Dept. of Microelectron., Delft Univ. of Technol., Delft, Netherlands) ,  Alfano B. (Dept. of Phys., Univ. of Naples Federico II, Naples, Italy) ,  Ricciardella F. (Italian Inst. of Technol., Genoa, Italy) ,  Giesbers A. J. M. (MEMS Foundry Services, Philips Innovation Services, Eindhoven, Netherlands) ,  Grachova Y. (Dept. of Microelectron., Delft Univ. of Technol., Delft, Netherlands) ,  van Zeijl H. W. (Dept. of Microelectron., Delft Univ. of Technol., Delft, Netherlands) ,  Polichetti T. (ENEA UTTP-MDB, Portici, Italy) ,  Sarro P. M. (Dept. of Microelectron., Delft Univ. of Technol., Delft, Netherlands)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： MEMS  ページ： 17-20  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,新しい輸送のないグラフェン作製プロセス,グラフェン層を損傷しないを報告した。4」シリコンウエハ上の均一なグラフェン層はCMOS互換Mo触媒を用いた化学蒸着により堆積した。グラフェン堆積後のMo層の除去は,根底にあるSiO₂上のグラフェンの輸送のない制御された配置をもたらした。さらに,Mo層はカスタマイズ可能なグラフェン形状を可能にする直接得られる前パターン形成,ものは以前に達成されていない。このプロセスは,MEMS/NEMSセンサの大規模な製造,特にグラフェンの特異的性質を利用したものに非常に適しており,ガスセンシングのような。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： パターン形成 ,  生産工程 ,  化学蒸着 ,  センサ ,  モリブデン ,  触媒 ,  カスタム化 ,  *グラフェン ,  *MEMS ,  CMOS
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  *NEMS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 符号理論  (ND02030R) ,  計算機網  (JC03000K) ,  無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (7件)： MEMS ,  NEMS ,  ウエハ ,  スケール ,  CVD ,  グラフェン ,  製造プロセス