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J-GLOBAL ID：201602290775654840   整理番号：16A1363287

チタン基板上での光アノード:1段階堆積したBiVO₄対Bi³⁺に含浸した2段階ナノV₂O₅膜

Photoanodes on titanium substrates: one-step deposited BiVO4 versus two-step nano-V2O5 films impregnated with Bi3+

著者 (5件)： Gromboni Murilo F. (Department of Chemistry, Federal University of Sao Carlos, Sao Carlos, SP, Brazil) ,  Araujo Moises A. (Department of Chemistry, Federal University of Sao Carlos, Sao Carlos, SP, Brazil) ,  Downey Elizabeth (Department of Chemistry, University of Bath, Bath, UK) ,  Marken Frank (Department of Chemistry, University of Bath, Bath, UK) ,  Mascaro Lucia H. (Department of Chemistry, Federal University of Sao Carlos, Sao Carlos, SP, Brazil)
資料名： Journal of Solid State Electrochemistry  (Journal of Solid State Electrochemistry)
巻： 20  号： 1  ページ： 273-283  発行年： 2016年01月 
JST資料番号： W1021A  ISSN： 1432-8488  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリエチレン基板上へのポリエチレングリコール(PEG300)前駆体塗布液からの光電気化学的に活性なBiVO₄(単斜晶系)の一段階の堆積は,より複雑な二酸化物相膜をもたらすことを実証した。恐らく有害な下層の酸化チタン相または混合相の影響のために,0.5M Na₂SO₄中での光電流は,錫ドープ酸化インジウム(ITO)基板について報告されたものと比較して,比較的低いままであった。比較のため,V₂O₅ナノ結晶膜の直接形成についても1段階堆積を実証したが,この膜もまた低い光電気化学的活性を示した。ナノ結晶V₂O₅のBi³⁺水溶液による含浸は,より多くの光活性BiVO₄の形成を伴う実質的な再結晶を引き起こすことを示した。特に,低温(高表面積)ナノV₂O₅(400°C)と400°Cでのさらに温和なアニールの後に,光電気化学的な水の酸化活性が大幅に改善した(0.1W cm^-2キセノンランプ照射での,対Ag/AgCl(KCl(3M))での1.0Vで,約0.3mAcm^-2)。これは,実用的なチタン基材上のBiVO₄光触媒の温和な温度での新たな2段階経路を切り開くものである。Copyright 2015 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ビスマス ,  金属イオン ,  *アノード ,  *光電極 ,  チタン ,  *バナジウム酸塩 ,  *ビスマス化合物 ,  *溶液成長 ,  酸化ビスマス ,  ナノ結晶 ,  再結晶 ,  ポリエチレンオキシド ,  前駆体 ,  *光触媒
準シソーラス用語： バナジン酸ビスマス ,  ビスマスイオン ,  ポリエチレングリコール ,  化学溶液堆積法 ,  *光アノード

著者キーワード (6件)： Photovoltammetry ,  PEG ,  Nucleation ,  Titanium ,  Energy ,  Water splitting

分類 (4件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (6件)： チタン ,  光アノード ,  段階 ,  堆積 ,  BiVO4 ,  含浸