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J-GLOBAL ID：201602291570273157   整理番号：16A1364617

ヘテロエピタキシャルPb_0.9Sr_0.1TiO₃/Bi_0.9La_0.1FeO₃/Pb_0.9Sr_0.1TiO₃マルチフェロイック構造:電気,強誘電及び磁気性能を改善する効果的な方法

Heteroepitaxial Pb0.9Sr0.1TiO3/Bi0.9La0.1FeO3/Pb0.9Sr0.1TiO3 multiferroic structure: an effective way to improve the electrical, ferroelectric and magnetic performance

著者 (10件)： Liu Q. (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, China) ,  Miao J. (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, China) ,  Shao F. (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, China) ,  Ji Y. (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, China) ,  Ren Z. Y. (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, China) ,  Chen J. K. (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, China) ,  Wu Y. (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, China) ,  Xu X. G. (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, China) ,  Meng K. K. (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, China) ,  Jiang Y. (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, China)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 27  号： 8  ページ： 8080-8086  発行年： 2016年08月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ堆積によって,(Pb_0.9Sr_0.1)TiO₃(PST)と(Bi_0.9La_0.1)FeO₃(BLF)からなる強誘電体/マルチフェロイック構造をLaNiO₃バッファ層を持つ(001)SrTiO₃基板上にヘテロエピタキシャル堆積した。興味深いことに,PST層は,ヘテロ構造における自由キャリアの移動を抑制するBLFと電極間のバッファ層として作用した。良好に成長した結晶性緻密構造が,PST/BLF/PSTヘテロ構造表面モフォロジーから観察された。さらに,PST/BLF/PST三重層では,2桁小さい漏れ電流及びより高い誘電率と共に,強誘電及び誘電挙動が改善された。この結果から,マルチフェロイックPST/BLF/PSTヘテロ構造は,将来の高密度メモリへの応用が有望であることが示唆される。Copyright 2016 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *強誘電体 ,  磁性体 ,  *チタン酸塩 ,  *酸化物 ,  ヘテロエピタクシー ,  鉛化合物 ,  ストロンチウム化合物 ,  ビスマス化合物 ,  ランタン化合物 ,  鉄化合物 ,  電気特性 ,  強誘電性 ,  磁気的性質 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  漏れ電流 ,  電流電圧特性 ,  誘電率 ,  誘電損失 ,  周波数依存性 ,  誘電分極 ,  磁気ヒステリシス ,  パルスレーザ蒸着 ,  モルフォロジー ,  表面構造
準シソーラス用語： パルスレーザ堆積 ,  マルチフェロイック ,  磁気特性 ,  表面モルフォロジー

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (2件)： マルチフェロイック ,  磁気性能