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J-GLOBAL ID:201602292058335102   整理番号:16A0919115

強化光電気化学的性質を有するCdS/CdWO4/WO3ヘテロ接合膜のその場合成

In situ synthesis of CdS/CdWO4/WO3 heterojunction films with enhanced photoelectrochemical properties
著者 (10件):
資料名:
巻: 325  ページ: 591-597  発行年: 2016年09月01日 
JST資料番号: B0703B  ISSN: 0378-7753  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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フッ素ドーピング酸化スズ(FTO)基板上にCdS/CdWO4/WO3ヘテロ接合膜を初めてその場転化プロセスによって電気化学的(PEC)水素発生のための効率的な光電極として調製する。試料をX線回折(XRD),走査電子顕微鏡(SEM),透過型電子顕微鏡(TEM),紫外可視分光法(UV-vis)およびX線光電子分光法(XPS)でキャラクタリゼーションする。CdWO4を有するCdS中空球(~80nm)増感WO3プレート膜は可視光吸収の増加と光電気化学的性能の大きな改善を示す。CdS/CdWO4/WO3アノードの0V(vs.Ag/AgCl)の光電流密度はCdWO4/WO3アノードより~3倍大きく,照明下において純WO3より~9倍大きい。三成分系ヘテロ接合が生成される時に電流効率に対する入射光子の最高値(IPCE)は16%から63%に増加した。この研究はその場転化プロセスによる三成分系複合光触媒が高い光電変換効率を達成する有望な手法であることを示す。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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光化学一般 
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