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J-GLOBAL ID：201602298722943736   整理番号：16A0830156

p-InAsSbP/n-InAs_0.92Sb_0.08/n⁺-InAs二重ヘテロ構造ベースのフォトダイオードの1×64線形アレイ

Photodiode 1 × 64 linear array based on a double p-InAsSbP/n-InAs0.92Sb0.08/n +-InAs heterostructure

著者 (10件)： Il’inskaya N. D. (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia) ,  Karandashev S. A. (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia) ,  Karpukhina N. G. (Limited Liability Company Ioffe LED Ltd., St. Petersburg, Russia) ,  Lavrov A. A. (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia) ,  Lavrov A. A. (Limited Liability Company Ioffe LED Ltd., St. Petersburg, Russia) ,  Matveev B. A. (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia) ,  Remennyi M. A. (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia) ,  Stus N. M. (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia) ,  Stus N. M. (Limited Liability Company Ioffe LED Ltd., St. Petersburg, Russia) ,  Usikova A. A. (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 50  号： 5  ページ： 646-651  発行年： 2016年05月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p-InAsSbP/n-InAs_0.92Sb_0.08/n⁺-InAsモノリシックダイオードの1×64線形アレイの電流電圧特性と光電およびルミネセンス特性の研究結果を報告するが,このダイオードのn⁺-InAs基板側から照明を当て感度は4μm域にある。温度領域77~353Kにおける電流機構の解析を行い,かつ非平衡放射の空間分布と容量電圧測定データも考慮に入れて光感度と応答速度も調べた。Copyright 2016 Pleiades Publishing, Ltd. Translated into Japanese from English by JST.

シソーラス用語： *ヒ化物 ,  *アンチモン化物 ,  *リン化物 ,  *インジウム化合物 ,  *ヒ化インジウム ,  一体構造 ,  *アレイ ,  電流電圧特性 ,  *ルミネセンス ,  非平衡状態 ,  容量電圧特性 ,  分光感度 ,  速度 ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  *フォトダイオード
準シソーラス用語： 応答速度 ,  二重ヘテロ接合

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAs ,  ヘテロ構造 ,  フォトダイオード ,  線形 ,  アレイ