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J-GLOBAL ID：201602298818129819   整理番号：16A0876233

CAAC IGZO FETを用いた画素内不揮発性アナログメモリを用いたモーションキャプチャのための60fps240×160画素ビジョンセンサでの25 3μW【Powered by NICT】

A 25. 3 <tex-math notation=”LaTeX”>$¥mu$ </tex-math></inline-formula>W at 60 fps <tex-math notation=”LaTeX”>$240 ¥times 160$ </tex-math></inline-formula> Pixel Vision Sensor for Motion Capturing With In-Pixel Nonvolatile Analog Memory Using CAAC-IGZO FET

著者 (14件)： Ohmaru Takuro (Semiconductor Energy Laboratory Co.Ltd, 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan) ,  Nakagawa Takashi (Semiconductor Energy Laboratory Co.Ltd, 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan) ,  Maeda Shuhei (Semiconductor Energy Laboratory Co.Ltd, 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan) ,  Okamoto Yuki (Semiconductor Energy Laboratory Co.Ltd, 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan) ,  Kozuma Munehiro (Semiconductor Energy Laboratory Co.Ltd, 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan) ,  Yoneda Seiichi (Semiconductor Energy Laboratory Co.Ltd, 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan) ,  Inoue Hiroki (Semiconductor Energy Laboratory Co.Ltd, 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan) ,  Kurokawa Yoshiyuki (Semiconductor Energy Laboratory Co.Ltd, 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan) ,  Ikeda Takayuki (Semiconductor Energy Laboratory Co.Ltd, 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan) ,  Ieda Yoshinori (Semiconductor Energy Laboratory Co.Ltd, 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan) ,  Yamade Naoto (Semiconductor Energy Laboratory Co.Ltd, 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan) ,  Miyairi Hidekazu (Semiconductor Energy Laboratory Co.Ltd, 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan) ,  Ikeda Makoto (Department of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Yamazaki Shunpei (Semiconductor Energy Laboratory Co.Ltd, 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 51  号： 9  ページ： 2168-2179  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： c軸配向結晶性酸化物半導体FETを用いて,ピクセル内不揮発性アナログメモリを用いた視覚センサを作製した。センサは,与えられた参照フレームの微分データ捕捉,捕捉正常像データを実現し,各画素における長時間キャプチャされたデータを保持していた。さらに,センサは,差分画像を抽出することにより正常グローバルシャッター画像捕捉とモーションキャプチャを実現した。これは,キャプチャされたデータを用いて実行し,正常画像と参照画像の間の差の有無に依存する。センサを三個の運転モード:イメージングモード,モーションキャプチャモード,待機モードを持っている。重要なことに,消費電力は待機状態にあることを回路ブロックの電源を切っにより減少した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *画素 ,  捕獲 ,  *視覚センサ ,  *センサ ,  *非揮発性 ,  運転モード ,  画像 ,  消費電力 ,  データ収集 ,  *モーションキャプチャ
準シソーラス用語： 参照画像 ,  正常画像 ,  差分画像 ,  酸化物半導体 ,  *アナログメモリ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： IGZO ,  FET ,  画素 ,  不揮発性 ,  アナログメモリ ,  モーションキャプチャ ,  ビジョンセンサ