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J-GLOBAL ID：201602298825117327   整理番号：16A0848594

AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造マイクロワイヤ中の,ピエゾトロニック効果で変調したヘテロ接合電子ガス

Piezotronic Effect Modulated Heterojunction Electron Gas in AlGaN/AlN/GaN Heterostructure Microwire

著者 (11件)： Wang Xingfu (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA) ,  Wang Xingfu (Guangdong Provincial Key Laboratory of Nanophotonic Functional Materials and Devices, Guangdong Engineering Technology Research Center of Optoelectronic Functional Materials and Devices, Institute of Optoelectronic Materials and Technology, South China Normal University, Guangzhou, 510631...) ,  Yu Ruomeng (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA) ,  Jiang Chunyan (Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Hu Weiguo (Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Wu Wenzhuo (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA) ,  Ding Yong (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA) ,  Peng Wenbo (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA) ,  Li Shuti (Guangdong Provincial Key Laboratory of Nanophotonic Functional Materials and Devices, Guangdong Engineering Technology Research Center of Optoelectronic Functional Materials and Devices, Institute of Optoelectronic Materials and Technology, South China Normal University, Guangzhou, 510631...) ,  Wang Zhong Lin (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA) ,  Wang Zhong Lin (Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 28  号： 33  ページ： 7234-7242  発行年： 2016年09月07日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ピエゾトロニック効果を用いて,AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造マイクロワイヤにおいて,ヘテロ接合電子ガスの物理特性を変調し,これにより電子輸送を同調した。室温では,導電率は-1.78%の圧縮歪下で165%増大し,1.78%の引張歪下で48%低下したが,77Kでは,この変調効果は圧縮および引張歪下で,各々890%および940%とさらに向上した。Copyright 2016 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  素子構造 ,  *細線 ,  *効果 ,  圧電素子 ,  *電子ガス ,  *ヘテロ接合 ,  輸送現象 ,  電子同調 ,  電気伝導率 ,  歪 ,  *圧力効果 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  二次元電子ガス ,  有限要素法 ,  応力解析 ,  電流電圧特性 ,  バンド構造 ,  密度分布
準シソーラス用語： HAADF-STEM ,  ピエゾ効果素子 ,  *ピエゾ電気効果 ,  *マイクロワイヤ ,  ヘテロ構造 ,  圧縮歪 ,  引張歪 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  電子密度分布 ,  電子輸送 ,  表面バンド構造 ,  有限要素法応力解析

著者キーワード (5件)： AlGaN/AlN/GaN ,  electron gas ,  heterojunctions ,  piezotronic effect ,  microwires

分類 (4件)： 窒素とその化合物  (YB02050S) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  圧電デバイス  (NC03110I) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlGaN ,  AlN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  マイクロワイヤ ,  変調 ,  ヘテロ接合 ,  電子ガス