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J-GLOBAL ID：201702210080175481   整理番号：17A0365876

SiO_2ドープSnO_2~-Zn_2SnO_4セラミック複合材料のバリスタと誘電特性【Powered by NICT】

Varistor and dielectric properties of SiO₂ doped SnO₂-Zn₂SnO₄ ceramic composites

著者 (4件)： Zang Guo-Zhong (School of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, Luoyang 471003, China) ,  Wang Xiao-Fei (School of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, Luoyang 471003, China) ,  Li Li-Ben (School of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, Luoyang 471003, China) ,  Zhou Feng-Zi (School of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, Luoyang 471003, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 42  号： 16  ページ： 18124-18127  発行年： 2016年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,優れたバリスタと誘電特性を有するSiO_2ドープSnO_2~-Zn_2SnO_4セラミック複合材料を伝統的なセラミック加工によって調製した。得られた非線形係数αは9.6と高く,絶縁破壊電場EBと漏れ電流密度JLは5.9mmと62μA/cm~2であった。40Hzの低周波数では,室温で測定した相対誘電率εrは2.5×10~4よりも高かった。DCバイアス電圧で複素インピーダンススペクトルの半円直径の非線形減少は粒界効果をバリスタと巨大誘電率特性の重要な起源であることを示した。温度の増加と共に,複素電気係数の虚数部M′′のリラクサピークは高い周波数にシフトし,M′′スペクトルから得られた活性化エネルギーEは約0.31eV,粒界障壁高さφ_bよりもはるかに低かった。結果は,他の機構も粒界障壁に加えて巨大誘電率特性の原因であることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電場 ,  *誘電性 ,  結晶粒界 ,  活性化エネルギー ,  *セラミック ,  LF【周波数】 ,  *ドーピング ,  絶縁破壊 ,  誘電率 ,  *バリスタ
準シソーラス用語： 障壁高さ ,  巨大誘電率 ,  複素インピーダンス ,  バイアス電圧 ,  漏れ電流密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Varistors ,  エレクトロセラミック ,  誘電特性

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  セラミック複合材料 ,  バリスタ ,  誘電特性