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J-GLOBAL ID：201702210084993536   整理番号：17A0325746

AgドープSn_1+δxAg_xTeの熱電性能の欠陥化学と増強【Powered by NICT】

Defect chemistry and enhancement of thermoelectric performance in Ag-doped Sn_1+δ-xAg_xTe

著者 (4件)： Lee Min Ho (Department of Applied Physics and Institute of Natural Sciences, Kyung Hee University, Yongin 17104, Korea. [e-mail]) ,  Byeon Do-Gyun ,  Rhyee Jong-Soo ,  Ryu Byungki
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 5  号： 5  ページ： 2235-2242  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Sn_1 xAg_xTeとSn_1 0.03-xAg_xTe(1 3 5 7mo1%)化合物の熱電特性と電子バンド構造計算を検討した。形成エネルギー計算から,AgドーピングによるSn空格子点はキャリア密度の増加と格子定数の減少を生じさせた。は電荷キャリアの増加を補償する極性点欠陥と種々の中性Ag複合欠陥(線形,直交,正方形型欠陥など)のいくつかの可能性がある。Ag関連複合欠陥によるキャリア散乱はHall移動度を減少させ,AgドーピングによるHallキャリア密度の増加にもかかわらずにおける電気伝導率の低下をもたらした。電子バンド構造計算からの共鳴準位形成を観測しなかった。Ag複合欠陥(Ag_Sn Ag_Te Ag_Sn)による散乱指数の変化はSeebeck係数の増加と関連している可能性がある。欠陥散乱は電気伝導率を低下させても,Ag複合欠陥による格子熱伝導率のSeebeck係数と還元の増加はSn過剰Sn_0 0.96Ag_0 0.07Te化合物の800KでのZT値0.62の増強をもたらした。Sn空格子点とAg複合欠陥はSnTe系化合物の熱電性能指数の増強と関連していることを示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気伝導率 ,  点欠陥 ,  格子定数 ,  *ドーピング ,  複合欠陥 ,  *銀 ,  キャリア散乱 ,  *スズ ,  Hall移動度 ,  極性 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： 格子熱伝導率 ,  Seebeck係数 ,  電荷キャリア ,  電子バンド構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ag ,  ドープ ,  欠陥 ,  化学 ,  増強