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J-GLOBAL ID：201702210153349897   整理番号：17A0475402

ペンタセンベースの不揮発性電界効果トランジスタメモリの電荷捕獲特性に及ぼすポリマエレクトレットの厚さの影響【Powered by NICT】

Effect of thickness of polymer electret on charge trapping properties of pentacene-based nonvolatile field-effect transistor memory

著者 (11件)： Ling Haifeng (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays (KLOEID), Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, Nanjing 210023, China) ,  Li Wen (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays (KLOEID), Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, Nanjing 210023, China) ,  Li Huanqun (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays (KLOEID), Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, Nanjing 210023, China) ,  Yi Mingdong (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays (KLOEID), Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, Nanjing 210023, China) ,  Xie Linghai (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays (KLOEID), Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, Nanjing 210023, China) ,  Wang Laiyuan (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays (KLOEID), Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, Nanjing 210023, China) ,  Ma Yangxing (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays (KLOEID), Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, Nanjing 210023, China) ,  Bao Yan (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays (KLOEID), Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, Nanjing 210023, China) ,  Guo Fengning (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays (KLOEID), Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, Nanjing 210023, China) ,  Huang Wei (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays (KLOEID), Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, Nanjing 210023, China) ,  Huang Wei (Key Laboratory of Flexible Electronics (KLOFE), Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing Tech University (NanjingTech), Nanjing 211816, China)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 43  ページ： 222-228  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報告では,電荷捕獲層としてのポリ(N ビニルカルバゾール)(PVK)の異なる厚さ(17.8~100.4nmの範囲)を用いたペンタセン系有機電界効果トランジスタ(OFET)メモリ素子のセットを作製し,電荷捕獲挙動に及ぼす厚さの依存性を系統的に調べた。厚さが増加すると,電荷捕獲容量はGauss分布成長挙動を示したが,表面トンネル距離は指数関数的減少,トラップされた電荷担体の可能性再分布と直接トンネリングとFowler-Nordheim(FN)トンネリングの共存の相乗効果に起因する特性を示した。,良好なバイアスストレス安定性と合理的に低プログラミング電圧と高電荷捕獲容量を意味する,最も効率的な電荷捕獲特性を有する最適厚さ(d_の)は約40±5nmであった。超薄メモリのためのPVKのしきい値厚さ(d)を計算することによって,連続充電可能高分子エレクトレットに基づくOFETメモリーを分解する表面トンネル距離のモデルを提案した。著者らの研究は,定量的評価方法を提供し,エレクトレットの厚さのアスペクトからの電荷捕獲過程の理解を向上させることができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 記憶素子 ,  充電 ,  *FET【トランジスタ】 ,  不揮発性メモリ ,  相乗作用 ,  再分布 ,  *記憶装置 ,  正規分布 ,  *エレクトレット ,  指数関数 ,  *非揮発性 ,  トンネル効果
準シソーラス用語： 電荷キャリア ,  有機FET ,  *電荷捕獲 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 不揮発性メモリ ,  有機電界効果トランジスタ ,  高分子エレクトレット ,  厚さ効果 ,  トンネリング

分類 (3件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ペンタセン ,  不揮発性 ,  電界効果トランジスタ ,  電荷捕獲 ,  厚さ