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J-GLOBAL ID：201702210202584066   整理番号：17A0766846

少数キャリア注入を有するGaN系発光ダイオードアニーリングにおける水素不動態化Mgの活性化【Powered by NICT】

Activation of Hydrogen-Passivated Mg in GaN-Based Light Emitting Diode Annealing with Minority-Carrier Injection

著者 (4件)： YANG Ling (Institute of Microelectronics, Xidian University) ,  HAO Yue (Institute of Microelectronics, Xidian University) ,  LI Pei-Xian (Institute of Microelectronics, Xidian University) ,  ZHOU Xiao-Wei (Institute of Microelectronics, Xidian University)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 26  号： 1  ページ： 249-251  発行年： 2009年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なるアニーリング条件下でp-GaN材料の活性化上の問題を議論し,p-GaN活性化の機構を調べた。窒素中でのアニーリングでは,水素はp-GaNから完全に除去できないことが分かった。実験もrudimental水素は,水素がバイアス下での試料のアニーリング中のMgアクセプタを不動態化しないある種の状態で安定に存在できることを示した。しかし窒素中での付加的アニーリングすると,筆者らは定常状態水素が分解され,Mg-H複合体は再び発生できることを見出した。層中に残存する水素はこの可逆的現象に重要な役割を果たしていると思われる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 複合体 ,  *焼なまし ,  バイアス ,  *キャリア注入 ,  *水素 ,  アクセプタ ,  *窒化ガリウム ,  *不動態化 ,  *発光ダイオード ,  *マグネシウム
準シソーラス用語： 定常状態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (2件)： 量子井戸 ,  青色

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： キャリア注入 ,  GaN ,  発光ダイオード ,  アニーリング ,  水素 ,  不動態化 ,  Mg ,  活性化