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J-GLOBAL ID：201702210460734728   整理番号：17A0470304

窒化銅薄膜のバイポーラ抵抗スイッチング特性に及ぼす酸素プラズマ注入の効果【Powered by NICT】

The effects of oxygen plasma implantation on bipolar resistive-switching properties of copper nitride thin films

著者 (5件)： Du Xiaoqin (Department of Materials Science, Fudan University, 220 Handan Road, Shanghai 200433, People’s Republic of China) ,  Zhou Qianfei (Department of Materials Science, Fudan University, 220 Handan Road, Shanghai 200433, People’s Republic of China) ,  Yan Zhong (Department of Materials Science, Fudan University, 220 Handan Road, Shanghai 200433, People’s Republic of China) ,  Zhou Yong-Ning (Department of Materials Science, Fudan University, 220 Handan Road, Shanghai 200433, People’s Republic of China) ,  Wu Xiaojing (Department of Materials Science, Fudan University, 220 Handan Road, Shanghai 200433, People’s Republic of China)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 625  ページ： 100-105  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化銅(Cu_xN)薄膜は, 1.5kVの電圧でプラズマ浸漬イオン注入(PIII),酸素プラズマ注入による後処理により調製した。Cu_xN:O RRAMデバイスの抵抗スイッチング特性を異なる酸素注入時間020分で検討した。5分間酸素プラズマ注入処理したメモリセルは,最も長い耐久性能,最大抵抗窓,最高収率を示した。電気測定酸化銅(CuO)の形成を示したの線形フィッティング結果は,Cu_xN系RRAMデバイスの長期サイクル寿命に有益であるが,増加Cu_2O種は厳しい性能劣化につながるであろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 後処理 ,  サイクル寿命 ,  酸化第二銅 ,  記憶素子 ,  *酸素 ,  浸漬 ,  *窒化 ,  *銅 ,  *プラズマ入射 ,  酸化銅
準シソーラス用語： *酸素プラズマ ,  *抵抗スイッチング ,  ReRAM ,  *窒化銅 ,  *スイッチング特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 窒化銅 ,  抵抗スイッチング ,  酸素プラズマ ,  プラズマイオン浸漬注入

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 窒化 ,  銅薄膜 ,  バイポーラ ,  スイッチング特性 ,  酸素プラズマ ,  注入