文献

J-GLOBAL ID：201702210487955234   整理番号：17A0325247

SnSナノシート修飾により実現した高感度および高速単分子層WS_2フォトトランジスタ【Powered by NICT】

Highly sensitive and fast monolayer WS₂ phototransistors realized by SnS nanosheet decoration

著者 (8件)： Jia Zhiyan (State Key Laboratory of Metastable Materials Science and Technology, Yanshan University, Qinghuangdao 066004, China. [e-mail] [e-mail] [e-mail]) ,  Li Songlin ,  Xiang Jianyong ,  Wen Fusheng ,  Bao Xuan ,  Feng Shanghuai ,  Yang Ruilong ,  Liu Zhongyuan
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 5  ページ： 1916-1924  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元カルコゲン化物単分子層は次世代フレキシブルで透明なオプトエレクトロニクスのための強い候補である。固有超厚さと限られた光吸収に起因するが,その応答性は通常低い。応答有意に増強され,拡張スペクトル応答範囲を持つ単分子層WS_2の高速ハイブリッドフォトトランジスタを作製,液相剥離したSnSナノシート(NSs)による表面修飾のために単純で低コストの方法を開発した。ハイブリッドフォトトランジスタは~2A W~ 1の増強された応答と457nmの励起下での超高明/暗信号対雑音比10~6を示し,応答性の3桁と信号対雑音比の100倍の増加の顕著な増加,純WS_2デバイスと比較して示した。著者らのハイブリッド光検出器もかなりの応答速度を示し,51μsと98μsの立ち上がり時間および減衰時間であった。単層WS_2チャネル上に狭いバンドギャップSnS NSを持つ最適表面修飾の後,近赤外領域(1064 nm)で新たに出現した光学応答も観測された。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *フォトトランジスタ ,  バンドギャップ ,  SN比 ,  光吸収 ,  *高感度 ,  減衰時間 ,  表面改質 ,  応答特性 ,  *高速度 ,  *単分子層 ,  オプトエレクトロニクス ,  *ナノシート
準シソーラス用語： 光応答 ,  近赤外領域 ,  応答速度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (6件)： SNS ,  ナノシート ,  修飾 ,  高感度 ,  単分子層 ,  フォトトランジスタ