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J-GLOBAL ID：201702210530211212   整理番号：17A0325955

WS_2の電子的性質の制御と第一原理計算からのグラフェン酸化物ヘテロ構造【Powered by NICT】

Controlling of the electronic properties of WS₂ and graphene oxide heterostructures from first-principles calculations

著者 (4件)： Yang Mingye (Functional Nano & Soft Materials Laboratory (FUNSOM), Soochow University, Suzhou, Jiangsu 215123, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Wang Lu ,  Hou Tingjun ,  Li Youyong
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 1  ページ： 201-207  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元ナノ材料は広範な関心を集めているとそれらのヘテロ構造は,様々な用途に適した優れた電子的および光学的性質を有していた。第一原理計算に基づいて,WS_2とグラフェン酸化物(GO)ヘテロ構造の構造安定性と電子特性を研究した。三種類のGOのエポキシ,ヒドロキシルのみを含むエポキシとヒドロキシルの両方GO表面を考察した。著者らの結果は,GOの表面酸素濃度が増加するにつれてWS_2単位当たりの層間結合エネルギーは0.117eVから0.214eVまで増加することを示した。WS_2/GOヘテロ構造のバンドギャップは酸素官能基と濃度を変化させることによって0.13eVから1.91eVまでの広い範囲で調整できる。伝導帯最小値と価電子帯最大の空間的分離が観測され,これは異なる層に分布している。さらに,WS_2の仕事関数は4.09eV~6.34eVの範囲にあり,キャリア濃度を増加させる潜在的オプトエレクトロニクス素子におけるWS_2および他の遷移金属二カルコゲン化物材料の応用を広げるのGOによって調節することができた。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *酸素 ,  二次元 ,  仕事関数 ,  ナノ材料 ,  キャリア密度 ,  伝導バンド ,  バンドギャップ ,  価電子バンド
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  官能基 ,  層間結合 ,  構造安定性 ,  *ヘテロ構造 ,  *酸化グラフェン ,  *第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子 ,  性質 ,  第一原理計算 ,  グラフェン酸化物 ,  ヘテロ構造