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J-GLOBAL ID:201702210841397774   整理番号:17A0310955

CuO/ZnO光触媒を用いた亜ひ酸塩の光触媒酸化と同時除去【Powered by NICT】

Photocatalytic oxidation and simultaneous removal of arsenite with CuO/ZnO photocatalyst
著者 (6件):
資料名:
巻: 325  ページ: 97-103  発行年: 2016年07月01日 
JST資料番号: D0721B  ISSN: 1010-6030  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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高濃度合成水溶性As溶液中の亜ヒ酸塩の光触媒酸化と同時除去を検討した。プロセスは中性pH付近でUV照射下でのCuO/ZnOナノ粒子を用いて行った。処理効率に及ぼすCuO添加,初期亜ヒ酸塩濃度,光触媒負荷の影響を調べた。触媒表面へのヒ素の吸着はFourier変換赤外分光法(FTIR)およびX線光電子分光法(XPS)で評価した。バッチの結果は,CuOはZnOの光触媒性能に重要な影響を持つことを示した。CuO(20%)/ZnO光触媒酸化の速度定数は純粋なZnOで得られたものより4倍良好であった。ひ素の除去量(mgg~( 1))は,初期ヒ素濃度の増加と共に増加した。として30mgl~( 1)の(III)溶液を10時間照射時間中の0.67gL~( 1)の光触媒を完全に除去することができた。光触媒酸化と同時除去により最大As(III)除去量は暗所での吸着で観察されたものと比較して6.5倍大きかった。優れた光触媒酸化と高い取込性能をCuO/ZnOを作る高ヒ素汚染水からAs(III)を除去するための潜在的に魅力的な候補である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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光化学反応 

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