文献
J-GLOBAL ID:201702211271612672   整理番号:17A0365398

デバイス作製のための単結晶酸化亜鉛の集束イオンビーム表面処理【Powered by NICT】

Focused ion beam surface treatments of single crystal zinc oxide for device fabrication
著者 (7件):
資料名:
巻: 112  ページ: 530-538  発行年: 2016年 
JST資料番号: A0495B  ISSN: 0264-1275  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
そのような材料に及ぼすイオンビームに基づくデバイス作製の可能性を評価するために,著者らは,(0001)単結晶ZnO上の30kVGa~+イオン処理を検討した。原子間力顕微鏡,Ramanおよびエネルギー分散X線分光法,および透過型電子顕微鏡観察を組み合わせたマルチ技術アプローチを用いて,イオン線量を変化させることによりZnOの形態と構造特性を研究した。低用量では線量が増加すると浅い欠陥層は欠陥密度を開発した。より高い用量で上に非晶質層を伴った薄い欠陥層が生成した。高抵抗ZnO上のイオンビーム損傷層は導電性の向上を示した。KOHに基づくエッチングは損傷を受けたZnOを選択的に除去され,Gaリッチ非晶質層を急速に溶解することが分かった。欠陥層はイオン線量に依存するエッチ速度を持ち,長時間エッチングプロセスの場合,それは完全に除去されなかった。しかし,イオンビームで作製したピラーの導電率測定は,残留欠陥は検出可能な電気的応答を提供しないことを示した。これらの知見は,ZnO結晶の純粋な電気的性質を有する電子デバイスと微細構造を集束イオンビームによって作製した信頼できることを示し,損傷した表面層は適切なエッチング手順によって除去された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
機械的性質  ,  クラッド材  ,  変態組織,加工組織  ,  金属の放射線による構造と物性の変化  ,  溶接部 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る