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J-GLOBAL ID：201702211451853286   整理番号：17A0360588

相互に埋め込まれたh-BNおよびグラフェンの電子特性:第一原理研究【Powered by NICT】

Electronic properties of mutually embedded h-BN and graphene: A first principles study

著者 (2件)： Yu Zhi Gen (Institute of High Performance Computing, Singapore 138632, Singapore) ,  Zhang Yong-Wei (Institute of High Performance Computing, Singapore 138632, Singapore)
資料名： Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)
巻： 666  ページ： 33-37  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0824A  ISSN： 0009-2614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元材料である次世代電子デバイスへの応用に有望である。しかし,これらの有望な応用は,その安定性とバンド特性によって妨げられている。グラフェンおよびh-BNはそれぞれ零及び~5eVの大きなバンドギャップをもつ非常に安定であった。興味ある問題である:それは電子デバイスへの応用に適した新しい半導体材料を達成するためのグラフェンおよび/またはその逆にh-BNを埋め込むことが可能である本研究では,第一原理計算を用いて相互に埋め込まれたh-BNとグラフェンの電子特性を調べた。著者らの結果は,相互に埋め込まれたグラフェンとh BN構造の電子的性質への洞察を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *グラフェン ,  バンドギャップ ,  *第一原理 ,  半導体材料 ,  二次元
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  電子素子 ,  *六方晶窒化ホウ素 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： グラフェン ,  h-BN ,  バンドギャップ ,  ドーピング

分類 (2件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (5件)： h-BN ,  グラフェン ,  電子 ,  第一原理 ,  研究