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J-GLOBAL ID：201702211526040404   整理番号：17A0447456

二重層構造によるBiVO_4光アノードの強化された電荷分離と酸化速度論【Powered by NICT】

Enhanced charge separation and oxidation kinetics of BiVO₄ photoanode by double layer structure

著者 (7件)： Yang Lin (College of Physics, Chongqing University, Chongqing 400030, China) ,  Xiong Yuli (College of Physics, Chongqing University, Chongqing 400030, China) ,  Dong Hongmei (College of Chemistry and Chemical Engineering, Chongqing University, Chongqing 400030, China) ,  Peng Huarong (College of Chemistry and Chemical Engineering, Chongqing University, Chongqing 400030, China) ,  Zhang Yunhuai (College of Chemistry and Chemical Engineering, Chongqing University, Chongqing 400030, China) ,  Xiao Peng (College of Physics, Chongqing University, Chongqing 400030, China) ,  Xiao Peng (College of Chemistry and Chemical Engineering, Chongqing University, Chongqing 400030, China)
資料名： Journal of Power Sources  (Journal of Power Sources)
巻： 343  ページ： 67-75  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0703B  ISSN： 0378-7753  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単斜晶バナジウム酸ビスマス(BiVO_4)は,光電気化学水分解のための有望な半導体である。ここでは,電着によりフッ素ドープ酸化スズ基板上にBiVO_4二重層光アノードの簡単な作製を開発した。BiVO_4二重層光アノードは,高密度BiVO_4膜内層およびナノ多孔質BiVO_4膜として外層としてにより構成されている。BiVO_4単層光アノードと比較して,最適化されたBiVO_4二重層光アノードは,AM/6-1.5G(100 mW/cm~2)照射下で0.6V対Ag/AgClで1.15mA~2の非常に高い光電流を生じた。異なる試料の光電変換動力学の結果はBiVO_4二重層の電荷分離と酸化速度論効率は0.6V(対Ag/AgCl)で47.2%と51.6%であった,BiVO_4単層の値は32.3%と35.8%であったことを明らかにした。BiVO_4二重層のための改善された光電気化学性能は,主に光生成した電子正孔対の再結合を防止するために内層としての高密度BiVO_4を挿入した後,界面での欠陥状態の減少に起因している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光電流 ,  電着 ,  *電荷分離 ,  再結合 ,  光電気化学 ,  界面 ,  *二重構造 ,  単斜晶系 ,  電子正孔対
準シソーラス用語： 光電変換 ,  ナノポーラス ,  *二重層 ,  FTO【酸化物】 ,  水分解 ,  *光アノード , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： BiVO_4 ,  二重層構造 ,  水の酸化 ,  電荷分離 ,  酸化速度論

分類 (1件)： 燃料電池  (YB04040V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二重層構造 ,  光アノード ,  強化 ,  電荷分離 ,  酸化速度論