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J-GLOBAL ID：201702211783476244   整理番号：17A0204232

Ku-バンド応用のための100W GaNH EMTの設計,製作と特性評価【Powered by NICT】

Design, fabrication and characterising of 100 W GaN HEMT for Ku-band application

著者 (6件)： Ren Chunjiang (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electron Devices Institute) ,  Zhong Shichang (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electron Devices Institute) ,  Li Yuchao (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electron Devices Institute) ,  Li Zhonghui (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electron Devices Institute) ,  Kong Yuechan (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electron Devices Institute) ,  Chen Tangsheng (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electron Devices Institute)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 37  号： 8  ページ： 084002-1-084002-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルス動作モード下で100W以上の出力電力のKu波帯GaN電力トランジスタを提示した。開発したGaNH EMTを導入したFeドープGaNバッファと高温AlN核形成。3インチSiC基板上に堆積したAlGaN/GaNヘテロ構造は,室温で,それぞれ,~2100cm 2/(V s)と1.0×10(13)cm ( 2)の2DEGホール移動度と密度を示した。二重フィールドプレートを設計し0.25μm GaNH EMTに導入し,ソース接続フィールドプレートはゲートのドレイン側近傍のピーク電界プレートを最小化するための最適化した,Ku-バンド応用のための優れた電力利得性能を維持した。14GHzの負荷プル測定は,28Vのドレインバイアスで動作する作製した400μmゲート周辺GaNH EMTのための5.2mmの電力密度を示した。Ku帯内部整合型GaN電力トランジスタを組み合わせて,二~10.8mmゲート周辺GaNH EMTチップを開発した。GaNパワートランジスタは100μsのパルス幅と10%のデューティサイクルをもつパルス動作モード下で13.3GHzと32V動作電圧で102Wの出力パワーを示した。関連電力利得と電力付加効率は9.2dBと48%であった。著者らの知る限り,PAEは100W以上の出力電力のKu波帯GaN電力トランジスタで最大である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドーピング ,  *キャラクタリゼーション ,  電場 ,  炭化ケイ素 ,  *窒化ガリウム ,  電力付加効率 ,  最適化 ,  電力トランジスタ ,  窒化アルミニウム ,  運転モード
準シソーラス用語： 電力密度 ,  フィールドプレート ,  ヘテロ構造 ,  AlGaN/GaN ,  出力電力 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Ku帯 ,  PAE ,  AlGaN/GaN ,  GaNH EMT ,  フィールドプレート

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ku ,  バンド ,  応用 ,  EMT ,  設計 ,  製作 ,  特性評価