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J-GLOBAL ID：201702211907392545   整理番号：17A0702031

ZnO基板上へのウエハスケール2次元多形ZnS薄膜のエピタキシャル成長【Powered by NICT】

Epitaxial growth of wafer-scale two-dimensional polytypic ZnS thin films on ZnO substrates

著者 (9件)： Wang Lei (Key Laboratory of Photochemical Conversion and Optoelectronic Materials, Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, PR China. [e-mail]) ,  Xiong Kanglin ,  He Yangkun ,  Huang Xing ,  Xia Jing ,  Li Xuanze ,  Gu Yiyi ,  Cheng Huaqiu ,  Meng Xiangmin
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 19  号： 17  ページ： 2294-2299  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,高再現性,安定性,信頼性を有する単結晶ZnO基板上に平坦なウエハスケール二次元ZnS薄膜の最初の成功したエピタキシャル合成,ZnOとZnSの間の大きな格子不整合(約20%)にもかかわらず,を報告した。成長させたままのZnSは二結晶相ウルツ鉱型(WZ)と閃亜鉛鉱(ZB)から成っていた。の異なる相の間のエピタキシャル配向は以下のとおりであった:[2 1 10]ZnO_WZ//[2 1 10]ZnS_WZ//[10 1]ZnS_ZBと(0001)ZnO_WZ//(0001)ZnS_WZ//(111)ZnS_ZB。結晶構造と界面での歪プロファイルを詳細に調べた。簡単なエッチング処理後,剥離した大面積自立ZnS薄膜を初めて達成した。本生成物は,大きな格子不整合を持つ成長大面積薄膜またはヘテロ構造の戦略に貴重な期待されている。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 界面 ,  信頼性 ,  *薄膜 ,  エッチング ,  単結晶 ,  *酸化亜鉛 ,  閃亜鉛鉱 ,  *エピタクシー ,  格子不整合 ,  *二次元 ,  結晶構造 ,  再現性 ,  *硫化亜鉛
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  大面積 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  塩  (CD01050V) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： ZnO ,  ウエハ ,  スケール ,  2次元 ,  多形 ,  ZnS ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長