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J-GLOBAL ID:201702211955065960   整理番号:17A0678154

積層型グラファイト/穴あき集電箔負極における集電箔上の開口条件および反応温度とLi+イオンプレドープ速度との関係

著者 (14件):
資料名:
巻: 85  号:ページ: 186-194(J-STAGE)  発行年: 2017年 
JST資料番号: G0072A  ISSN: 1344-3542  CODEN: EECTFA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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穴あき銅集電箔の新しい作製方法としてピコ秒レーザーとポリゴンミラーを用いた光学系による高速貫通穴作製システムを開発し,その光学システムを用いて様々な開口率,開口径を有する穴あき集電体を作製した。その集電体を用いて両極にGraph層を塗工したアノード電極を作製し,それらを積層したものを電極,金属Li電極を対極としてテストセルとした。穴あき集電箔の開口率を上げるとドープ速度は大きくなるが,電極作製上の問題から,開口率1%が適切であることが明らかとなった。ドープ反応速度の開口径依存性は,開口率1%の状態で,開口径5μmで最大の反応速度を示した。ドープ反応の律速段階はLi+イオンの細孔内での移動であることが明らかになった。
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著者キーワード (4件):
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電極過程  ,  静電機器 
引用文献 (12件):
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