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J-GLOBAL ID:201702212971545777   整理番号:17A0759315

有機電界効果トランジスタ:マイクロメータサイズの素子における電流特性の3次元運動論的モンテカルロシミュレーション【Powered by NICT】

Organic Field-Effect Transistors: A 3D Kinetic Monte Carlo Simulation of the Current Characteristics in Micrometer-Sized Devices
著者 (4件):
資料名:
巻: 27  号:ページ: ROMBUNNO.201605715  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1336A  ISSN: 1616-301X  CODEN: AFMDC6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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有機電界効果トランジスタ(OFET)の電気的性質は通常,無機系デバイス用に開発した初期モデル,有機半導体には不適切である可能性があることを近似の利用を意味することが多いを適用することにより特性化した。これらの近似は,有機材料に関連したデバイス物理の理解に制限をもたらしている。この問題を克服するための戦略は,OFETにおける巨視的電流特性と微視的電荷輸送の間の直接的な関係を確立することである。ここでは,3次元運動論的モンテカルロモデルは,キャリア輸送と電流をシミュレートするために零チャネル厚さの従来の仮定と緩やかなチャネル近似の両方を越えるを開発した。デバイス内電位の評価を著しく改善することを並列計算と新しいアルゴリズムを用いて,この方法はマイクロメートルサイズのOFETのシミュレーションを可能にした。代表的なOFET素子の電流特性を良く再現し,OFETの場合の緩やかなチャネル近似の妥当性,チャネル厚さの影響,および微視的電荷輸送の性質への洞察を提供する。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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トランジスタ  ,  高分子固体の物理的性質 

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